Высокотехнологичный комплекс НТЦ «Микро- и наноэлектроника» создан в специализированном корпусе, построенном по требованиям микроэлектронных технологий, с помещением «Камера «Чистая комната» площадью 200 м2, в которых реализован уровень чистоты производственной атмосферы по международным стандартам ISO от 4 класса до 6 класса. В помещении «Камера «Чистая комната» класса ISO 4 на виброгасящих фундаментах расположены установки для электронно-лучевого (CABL 9000C, Япония)
и ультрафиолетового экспонирования (лазерный генератор изображений ЭМ 5109, Беларусь).
Система CABL 9000C позволяет экспонировать элементы наноструктур размером от 8 нм до 500 нм. Точность совмещения полей - 20 нм. Диаметр экспонируемых пластин до 150 мм. Форма экспонированных элементов произвольная, которая обеспечивается векторной графикой. реднее время экспонирования 1 мм2 составляет около 1 часа. Система позволяет также исследовать топологию планарных структур в режиме электронного микроскопа с увеличением до 300 тысяч раз, в частности, проводить межоперационный контроль.
Система ЭМ 5109 предназначена для изготовления металлизированных фотошаблонов при производстве интегральных схем, полупроводниковых приборов, гибридных схем, фотоэлектрических преобразователей, ЖК-индикаторов и экранов, прецизионных печатных плат, фотошаблонов ГИС, специальных измерительных и тестовых шаблонов как в производственных, так и в научно - исследовательских и учебных целях. Изображение формируется по принципу микрофотонабора. Размер элемента 1 мкм и время формирования изображения любой сложности не более 50 минут.
В помещении класса ISO 5 расположена установка плазмохимического травления в индуктивно связанной плазме CORIAL 210IL (Франция). Установка предназначена для производства акустоэлектронных СВЧ приборов, в т.ч. радиочастотных меток в диапазоне 6 ГГц, интегральных схем, полупроводниковых приборов, в т.ч., HEMT- транзисторов, и других устройств с наноразмерными элементами.
В отдельном помещении с приточно-вытяжной вентиляцией расположена установка вакуумного напыления и дугового плазменного осаждения наноразмерных многослойных пленок ULVAC C-400-2C (Япония). Установка содержит 2 магнетронных распылителя и 2 импульсные плазменно-дуговые пушки. Эта установка позволяет наносить на пьезоэлектрические и другие кристаллы высокоадгезионные слои металлов и диэлектриков с точностью 1 нм по толщине.
Для измерения геометрических параметров изготавливаемых структур используется лазерный сканирующий профилометр Olympus LEXT OLS4100 (3D микроскоп, Япония). Установка представляет собой метрологическую систему для исследования топографии поверхности образцов с разрешением по высоте 5 нм,
А в плоскости - 120 нм.
Для качественного межоперационного контроля используется инспекционный микроскоп Olympus MX51-F (Япония), для контроля электрических параметров микро- и наноэлектронных приборов на кристаллической пластине используется зондовая станция MPI TS-150 (Тайвань), для измерения частотных и временных характеристик изделий используются векторный анализатор цепей Agilent Technologies N5230C (США)
и осциллограф YOKOGAWA DL9140 Digital Oscilloscope (Япония).
При необходимости ультразвукового контроля структур используется ультразвуковой дефектоскоп OmniScan™ PA компании R/D Tech (Япония). Указанное оборудование обладает одними из лучших в мире технологическими и метрологическими характеристиками и позволяет изготавливать кристаллические многослойные структуры для устройств микро- и наноэлектроники с размерами в плоскости пластины от 10 нм и по толщине от 1 нм.
Кроме указанного оборудования имеется еще ряд технологических установок: установка прецизионной дисковой резки кристаллов УР.ПДП-150, установка ионной очистки Diener electronic ATTO B, установка напыления металлических пленок SPI-MODULE Sputter/Carbon Coater Module с модулем контроля толщины пленок Quartz Crystal Thickness Monitor, установка микросварки TPT Wire Bonder HB16D, установка лазерного скрайбирования Мини Маркер 2–20А4 и установка плазмохимического травления «Плазма- 102 ПХОМ» (Россия). Система «Плазма- 102 ПХОМ», установленная в помещении «чистой комнаты» класса 6 ISO, позволяет изготавливать наноструктуры из металлов, кроме алюминия.
