24 июля исполнилось 80 лет со дня рождения организатора науки и образования, выдающегося советского и российского ученого, заслуженного деятеля науки Российской Федерации, заслуженного изобретателя Российской Федерации, доктора физико-математических наук, профессора, проректора по научно-исследовательской работе, заведующего кафедрой физики твердого тела Саратовского национального исследовательского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского.
Дмитрий Александрович родился 24 июля 1943 г. в г. Менделеевске, республика Татарстан. В 1960 году поступил на физический факультет Саратовского госуниверситета, который с отличием окончил в 1965 г.
Свой трудовой путь начал в 1965 году, работая инженером на предприятиях электронной промышленности в г. Саратове, сначала инженером п/я 10, а потом инженером Центрального конструкторского бюро измерительной аппаратуры.
Свою жизнь в науке Д.А. Усанов начал в аспирантуре Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского в 1966 году под руководством доцента Л. И. Баранова и профессора З. И. Кирьяшкиной.
В 1972 г. защитил в специализированном совете при СГУ диссертацию на соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков», а в 1989 г. – диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по специальности «Радиофизика, включая квантовую радиофизику».
В 1985 году избран заведующим кафедрой физики твердого тела, с 1989 года – проректор по научно-исследовательской работе ГОУ ВПО «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского».
Д.А. Усанов сочетал научную деятельность с научно-организационной. Он был членом Президиума Международной академии наук высшей школы, академиком Российской академии естественных наук, членом национальной гильдии экспертов в сфере профессионального образования, экспертом Минобрнауки РФ, экспертом Федерального государственного бюджетного научного учреждения Научно-исследовательский институт–Республиканский исследовательский научно-консультационный центр экспертизы (ФГБНУ НИИ РИНКЦЭ), экспертом РАН, членом Учебно-методического объединения Министерства образования и науки РФ по направлению "Электроника и микроэлектроника", специальности "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", главным редактором журнала «Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика», заместителем главного редактора журнала «Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика», в организации издания которого ему принадлежит значительная заслуга, членом редколлегии журналов «Известия вузов. Электроника», «Физика волновых процессов и радиотехнические системы», «Электронная техника. Серия 1: СВЧ-техника», «Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии», членом диссертационного совета при СГУ по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальности «Биомеханика».
В 1989 году под руководством Усанова Д.А. в Саратовском госуниверситете была создана отраслевая лаборатория Министерства электронной промышленности СССР.
В 1990 г. Д. А. Усанов возглавил диссертационный совет по физико-математическим наукам при Саратовском университете.
Д.А. Усанов активно участвовал в решении проблем, связанных с реформированием системы высшего профессионального образования.
Под его руководством впервые в Саратовском государственном университете с 1998–1999 учебного года открыта подготовка бакалавров, а с 1999–2000 учебном году – подготовка магистров по направлению «Электроника и микроэлектроника». В 2000 г. в СГУ, в числе первых российских университетов, была открыта специальность «Медицинская физика».
Усанов Д.А., работая более 20 лет (с 1989 г. по 2000 г. и с 2003 г. по 2013 г.) в должности проректора по научно-исследовательской работе, внес неоценимый вклад в получении Саратовским университетом статуса Национального исследовательского университета.
Д.А. Усанов – известный в стране и за рубежом ученый, активно работавший на стыке твердотельной электроники, радиофизики, оптики и медико-биологической диагностики, руководитель ведущего научно-педагогического коллектива Министерства образования и науки РФ, автор более 400 научных статей. Результаты его работ обобщены в 13 монографиях и 27 учебных пособиях. Под его руководством защищено 60 кандидатских и 8 докторских диссертаций.
Оригинальные теоретические и экспериментальные исследования позволили предложить и создать новые типы устройств, выпущенные в виде серии. Среди наиболее известных – измеритель толщины покрытий типа СИТ-40, который был успешно применён для контроля теплозащитного покрытия на советском космическом корабле «Буран».
Д. А. Усанов и сотрудники его коллектива в 1982 году создали и запатентовали один из самых распространенных типов СВЧ-микроскопов – ближнеполевой СВЧ-микроскоп с коаксиальным зондом.
Значительное число научных трудов Усанова Д.А. относятся к исследованию свойств СВЧ фотонных кристаллов и создании на их основе элементной базы радиоэлектроники и новых способов измерения параметров нанокомпозитов, микро- и наноструктур.
В последние годы Д. А. Усанов большое внимание уделял разработке и созданию новых методов диагностики медико-биологических систем.
Д.А. Усанов – известный в стране и за рубежом изобретатель автор более 200 изобретений, в том числе 32 внедренных в виде серий в промышленности и использующихся в медицинской практике.
За разработку и внедрение новых типов приборов, созданных на основе его изобретений, Д. А. Усанов награждался знаками «Победитель социалистического соревнования» (1978, 1979), «Ударник десятой пятилетки» (1981), «Отличник изобретательства и рационализации» (1983), «Отличник изобретательства и рационализации ХI пятилетки» (1986), «Лучший изобретатель Саратовской области» (1980, 1987), 35 золотыми, серебряными и бронзовыми медалями на выставках изобретений и инноваций в Париже, Брюсселе, Москве, Женеве, Сучжоу (Китай), Сеуле, Нюрнберге, Слатине (Хорватия), Куньшане (Китай) и других городах (2001–2012 г.г), медалями ВДНХ СССР (1982 г., 1987 г., 1989 г., 1991 г.) и Всероссийского выставочного центра (2005–2010 г. г.).
Д.А. Усанов активно участвовал в организации изобретательской работы в Саратовском госуниверситете и Саратовской области.
За заслуги в научно-техническом творчестве он награжден Почетным знаком «Во благо России» Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам (2009 г.). В 2011 г. Федерацией космонавтики России Д.А. Усанов был награжден медалью им. Первого космонавта Земли Ю.А. Гагарина.
За активную научно-педагогическую деятельность Д. А. Усанов награжден Почетной грамотой Министерства общего и профессионального образования РФ, почетным знаком «Почетный работник высшего профессионального образования РФ», медалью МАН ВШ «За заслуги перед высшей школой».
За заслуги в развитии науки и высшего образования Дмитрий Александрович Усанов удостоен государственных наград РФ: в 1998г. присвоено звание «Заслуженный деятель науки РФ», в 2003 г. награжден медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» 2-й степени, в 2010 г. –«Орденом Почета». Указом Президента Российской Федерации ему присвоено звание «Заслуженный изобретатель РФ».
В последние годы Д.А. Усанов много творческих сил отдавал работе на посту Председателя Совета ветеранов СГУ, реализовав много инициатив по сохранению исторической памяти и воспитанию молодежи. По его инициативе вышло два издания воспоминаний сотрудников СГУ «Детство, опаленное войной». Как председатель Совета ветеранов СГУ Д.А. Усанов входил в президиум Кировского районного совета ветеранов войны, труда, вооружённых сил и правоохранительных органов. Осенью 2018 г. его имя занесено на Почетную доску Кировского района г. Саратова.
Научная школа, созданная Дмитрием Александровичем Усановым, у истоков которой стояли выдающиеся ученые и организаторы науки и образования А.Ф. Иоффе, В.П. Жузе, Е.Ф. Гроссе, З.И. Кирьяшкина, продолжает своё дальнейшее развитие в области микроэлектроники и наноэлектроники, твердотельной электроники СВЧ, медицинской физики, материаловедения.
Коллектив кафедры физики твердого тела, бессменным руководителем которой на протяжении 34 лет являлся Д.А. Усанов, продолжает подготовку специалистов по направлению бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», кадров высшей квалификации по специальности «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств». Специалисты этого профиля востребованы промышленными предприятиями нашей страны, в том числе, предприятиями г. Саратова.