Митин

Антон

Васильевич

Senior lecturer

Education:

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2005 г., Инженер по специальности "Микроэлектроника и твердотельная электроника"

Research Interests:

Полупроводниковая электроника и радиофизика СВЧ и КВЧ

Функциональная электроника

Математическое моделирование динамики электронных процессов в различных полупроводниковых структурах и приборах

Общий стаж:

21 год

Стаж по специальности:

21 год

Work experience:

Engineer, лаборатория полупроводниковой электроники, 2004 to 2007

Assistant, кафедра физики полупроводников, 2007 to 2009

Senior lecturer, кафедра физики полупроводников, с 2009 по н.в.

Biography:

Родился в 1983 г. в Саратове.

В 2005 году окончил Саратовский государственный университет по специальности «Микроэлектроника и твердотельная электроника» и поступил в очную аспирантуру СГУ.

Автор более 30 научных публикаций.

Преподаваемые дисциплины:

Основы цифровой обработки сигналов (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)

Основы аналоговой и цифровой электроники (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника)

Основы математического моделирования в твердотельной электронике (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника)

Твердотельная электроника (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника)

Принципы расширения стандартных прикладных программ (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника)

Main Publications:

Михайлов А.И., Митин А.В. Влияние времени жизни носителей заряда на особенности динамики поля и тока в структурах на основе арсенида галлия в условиях локализованной засветки // III НАУЧНЫЙ ФОРУМ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИИ: ТЕОРИЯ И ТЕХНОЛОГИИ ТТТ-2019. Физика и технические приложения волновых процессов ФиТПВП-2019: материалы XVII Международной научно-технической конференции. Казань, 18 – 22 ноября 2019 года /под ред. Д.Е. Шаронова, А.А. Иванова. – Казань: КНИТУ-КАИ, 2019. – Т. 3. – 288 с. - ISBN 978-5-7579-2420-5 (Т. 3)
Кожевников И.О., Браташов Д.Н., Михайлов А.И., Митин А.В. Влияние узко-локализованной засветки на параметры токовых колебаний в планарно-эпитаксиальных мезаструктурах полуизолирующего арсенида галлия различной топологии // «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика»: сборник трудов XIV Всерос. конф. молодых ученых. Саратов: Изд-во «Техно-Декор», 2019. – С. 111-112.
Исследование многочастотной генерации токовых колебаний в параллельных планарных меза-структурах высокоомного арсенида галлия / Кожевников И.О., Михайлов А.И., Митин А.В. // Нано- и биомедицинские технологии. Управление качеством. Проблемы и перспективы. Сборник научных статей. – Саратов, СГУ 2019. Вып.3 - 256 с. – C. 109 -111. ISBN 978-5-907175-11-2
Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. – 2015. Том 58, № 4. – 59-64.
Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2014. - Т. 17, № 4. - С. 64-69. - ISSN 1810-3189.
Михайлов А.И., Митин А.В., Терентьева А.И. Особенности проявления ганновской и рекомбинационной неустойчивостей тока в высокоомных полупроводниках в условиях оптического воздействия // Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – С 130-153.
Михайлов А.И., Митин А.В. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2011. – Т. 14. – № 4. – С. 87-91.
Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2010. – Т. 13. – № 1. – С. 73-81.
Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. – 2007. – Т. 10. – № 2. – С. 49-56.
Михайлов А.И., Митин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78.