10 мая 2024 года исполнилось 110 лет со дня рождения Зинаиды Ивановны Кирьяшкиной – советского хозяйственного, государственного и политического деятеля, организатора науки и образования, известного ученого, Заслуженного деятеля науки РСФСР, доктора физико-математических наук, профессора, первой заведующей кафедрой физики твердого тела Саратовского ордена Трудового Красного знамени государственного университета имени Н.Г. Чернышевского.

Зинаида Ивановна родилась 10 мая 1914 г. в г. Саратове. В 1931 году райкомом комсомола Зинаида Ивановна была командирована на учебу в Саратовский университет, в этом же году она стала студенткой физико- математического факультета СГУ. Университет Зинаида Ивановна окончила в 1936 году по специальности «физика», защитив дипломную работу на тему «Электропроводность закиси меди в порошках».

Свою жизнь в науке З.И. Кирьяшкина начала в Саратовском государственном университете им. Н.Г. Чернышевского на кафедре общей физики в должности ассистента. Научные интересы Зинаиды Ивановны формировались под влиянием известного учёного в области физики полупроводников ближайшего сотрудника А.Ф. Иоффе – Владимира Пантелеймоновича Жузе, работавшего с 1935 г. в должности доцента кафедры общей физики СГУ.

В 1941 году под руководством В.П. Жузе в СГУ была создана специальная научная лаборатория полупроводников. В годы Великой Отечественной войны с лета 1943 г. под руководством В.П. Жузе, при участии С.Э. Фриш (Ленинградский университет), П.В. Голубкова, З.И.Кирьяшкиной и В.В. Игонина совместно с производственниками была выполнена работа по определению оптимальных режимов получения ацетилена в дуговом разряде и сконструирована установка полупромышленного типа.

С 1944 года после отъезда В.П. Жузе на работу в Казань руководителем лаборатории полупроводников стала З.И. Кирьяшкина.

Работа З.И. Кирьяшкиной «Электрокрекинг метана в высоковольтной дуге» была представлена как диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук и успешно защищена в 1945г.

В 1947 году ВАК при Министерстве высшего образования СССР было принято постановление об утверждении Зинаиды Ивановны в ученом звании доцента. Впоследствии под руководством Зинаиды Ивановны были выполнены получившие широкую известность работы по измерению диэлектрической проницаемости полупроводников, по созданию совместно с Д.И. Биленко, В.Е. Орловым и Ю.В. Бураковым полупроводниковых детекторов с рекордными на протяжении нескольких десятилетий характеристиками.

Изобретение нового типа детектора сделало коллектив, работавший под руководством Зинаиды Ивановны, известным среди широкого круга разработчиков радиоаппаратуры и позволило выполнить разработку детекторных и смесительных диодов в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах радиоволн для предприятий радиоэлектронной промышленности городов Москвы, Ленинграда, Нижнего Новгорода, Харькова, Киева, Тулы, Саратова.

Своего рода оценкой этих работ было создание в 1957 году приказом Министра ВО СССР проблемной лаборатории полупроводников, научным руководителем которой стала З.И. Кирьяшкина. О создании в СГУ проблемной лаборатории полупроводников перед А.Ф. Иоффе, выступившим с инициативой организации в СССР сети таких лабораторий, ходатайствовал В.П. Жузе, на протяжении многих лет поддерживавший связь с сотрудниками СГУ и прежде всего с З.И. Кирьяшкиной.

Результаты разработки детекторных и смесительных диодов субмиллиметрового диапазона высоко оценил Министр обороны СССР, Маршал Советского Союза Р.Я. Малиновский во время своего визита в лабораторию полупроводников.

Проведенные Зинаидой Ивановной исследования были обобщены в докторской диссертации, которую она защитила в 1967 году.

С 1973г. Зинаида Ивановна стала научным руководителем отдела физики полупроводников НИИМФ, в состав которого, кроме лаборатории полупроводников, вошла лаборатория микроэлектроники, организованная в качестве проблемной в 1962г. под руководством доцента кафедры физики твердого тела Д.И. Биленко.

В 1951 году Зинаида Ивановна была назначена заведующей кафедрой физики твердого тела. В этой должности она проработала до 1985 года.

З.И. Кирьяшкина была инициатором развития в СГУ исследований в области контактных явлений в полупроводниках. Работу в этом направлении возглавлял доцент кафедры теоретической и ядерной физики Л.И. Баранов.

Известность кафедре физики твердого тела СГУ как ведущему педагогическому коллективу придали разработанные по инициативе Зинаиды Ивановны впервые в СССР программы курсов, по которым проводилась подготовка студентов, обучающихся в университетах по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков» (1979г.). Авторами программы этих курсов были Л.И. Баранов, сотрудники кафедры З.И. Орнатская. Д.И. Биленко, В.Ф. Названов, А.М. Свердлова. Зинаида Ивановна была организатором и председателем секции физики полупроводников и диэлектриков методического Совета Минвуза СССР.

С 1952 по 1955 г.г. и с 1974 по 1976 г.г. З.И. Кирьяшкина работала деканом физического факультета СГУ.

Зинаида Ивановна в 1958 году была выдвинута и избрана депутатом Совета Союза Верховного Совета СССР 5-го созыва. В 1971 г. она избиралась делегатом 24 съезда КПСС. Трудовая деятельность Зинаиды Ивановны по достоинству была оценена Правительством СССР. В 1961 г. она была награждена Орденом «Знак Почета». В 1971 г. – Орденом Ленина – высшей правительственной наградой СССР. Зинаида Ивановна была награждена медалями «За доблестный труд в годы Великой отечественной войны», «В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина», «Тридцать лет победы в Великой отечественной войне 1941-1945 г.г.». В 1980 г. ей было присвоено звание «Заслуженный деятель науки РСФСР».

Зинаида Ивановна сумела заложить основы Саратовской школы физики полупроводников и полупроводниковой электроники. Под ее руководством было защищено более 25 кандидатских и 1 докторская диссертации. Многие из ее сотрудников и учеников впоследствии стали докторами наук, среди них: Б.Н. Климов, Д.А. Усанов, В.Ф. Названов, А.Г. Роках, А.М. Свердлова, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль, С.Б. Вениг, А.И. Михайлов, С.С. Горбатов, А.А. Семёнов и многие другие.

Объединённый научно-педагогический коллектив, основу которого составляют сегодня ученики Зинаиды Ивановны, продолжает своё дальнейшее развитие в области микроэлектроники и наноэлектроники, твердотельной электроники СВЧ, медицинской физики, материаловедения, осуществляет подготовку специалистов по направлению бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», кадров высшей квалификации по специальности «Электронная компонентная база микро- и наноэлектроники, квантовых устройств». Специалисты этого профиля востребованы промышленными предприятиями нашей страны, в том числе, предприятиями г. Саратова.

С 23 по 24 мая 2024 года на базе Саратовского университета пройдёт одиннадцатая Всероссийская научная школа-семинар «Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами», посвящённая 110-летию со дня рождения первого заведующего кафедрой физики твердого тела, профессора, доктора физико-математических наук Зинаиды Ивановны Кирьяшкиной.