Стецюра

Светлана

Викторовна

Доцент

Образование:

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 1988 г., Физика полупроводников и диэлектриков, квалификация "инженер-физик"

Европейская академия проблем качества, 2001 г., Менеджер систем качества

Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского, 2019 г., Использование электронной информационно-образовательной среды и информационно-коммуникативных технологий в образовательном процессе вуза

Идентификаторы в системах наукометрии:

РИНЦ

Scopus Author ID

ResearcherID

Диссертации и учёные степени:

Кандидат физико-математических наук (01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»), Исследование фотоэлектрических свойств неоднородных пленок CdS-PbS и структур на их основе, 1999 г.

Учёное звание:

Доцент по специальности "Материаловедение", Министерство образования и науки Российской Федерации, 2016 г.

Научные интересы:

Технология и свойства гетерогенных и гибридных материалов и структур (в том числе, структур «классический полупроводник – органическое покрытие»)

Технология и материаловедение наноструктурированных тонких пленок и слоистых структур

Фотоэлектрические явления в гетерогенных полупроводниковых структурах

Влияние ионизирующих излучений на материалы электроники

Общий стаж:

31 год

Стаж по специальности:

31 год

Работа в университете:

Инженер, кафедра физики полупроводников физического факультета СГУ, с 1995 по 1999

кафедра физики полупроводников физического факультета СГУ, с 2000 по 2001

Доцент, кафедра физики полупроводников физического факультета СГУ, с 2001 по 2004

Доцент, кафедра материаловедения, технологии и управления качеством факультета нано- и биомедицинских технологий СГУ, с 2005 по н.в.

Регалии:

Почетный работник сферы образования Российской Федерации (Приказ Минобрнауки от 18 декабря 2017 года №677/к-н), 2017 г.

Трудовая биография:

Дополнительная деятельность в университете:

1999 - 2004 гг. – ответственный секретарь приемной комиссии физического факультета СГУ;

2001 - 2004 гг. – заместитель декана физического факультета СГУ;

2005 - 2018 гг. – ответственный за учебную работу (заместитель декана) факультета нано- и биомедицинских технологий СГУ;

2011 - 2018 гг. – эксперт в области проведения государственной аккредитации образовательных и научных организаций в сфере образования и науки Рособрнадзора.

Учебно-методическая деятельность:

Разработанные курсы дисциплин:

Материаловедение;
Технологии и материаловедение;
Статистические методы управления качеством;
Средства и методы управления качеством;
Физические процессы в материалах под действием излучений;
Обеспечение надежности процессов и изделий;
Многослойные микро- и наноструктуры.

Учебно-методические пособия:

Михайлов А.И., Стецюра С.В., Cеpгеев C.А ,Лабораторный практикум по физике полупроводниковых приборов: Учебное пособие. В 2-х частях. Часть 1. Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во ГосУНЦ “Колледж”, 2002. - 72 с.
Глуховской Е.Г., Стецюра С.В., Маляр И.В., Климова С.А. Технология материалов электронной техники: лабораторный практикум Материалы электронной техники. Лабораторный практикум: учеб. пособие для студентов фак. нано- и биомедицинских технологий; под общ. ред. доц. С.В. Стецюра, доц. Е.Г. Глуховского. ‑ Саратов: ООО «Редакция журнала «Промышленность Поволжья», 2008. –174 с. ISBN 978-5-901806-10-4.
Маляр И.В., Стецюра С.В., Синёв И.В., Браташов Д.Н., Захаревич А.М. Микросткопические методы исследования материалов и электронных структур: лабораторный практикум. [Текст]: учебно-метод. пособие / И.В. Маляр, С.В. Стецюра, И.В. Синёв, Д.Н. Браташов, А.М. Захаревич - Саратов: Изд-во"Саратовский источник", 2014 - 84:илл. ISBN 978-5-91879-471-5.
Маляр И.В., Захаревич А.М., Стецюра С.В., Физические методы исследования состава и структуры материалов: лабораторный практикум: учебно-метод. пособие / Саратов: Изд-во "Саратовский источник", 2016 - 75 с.: илл. – 100 экз. – ISBN 978-5-91879-591-50.
Стецюра С.В. Основы материаловедения: технические и биотехнические материалы: учебно-метод. пособие / Саратов: Изд-во "Саратовский источник", 2016 - 45 с.– 100 экз. – ISBN 978-5-91879-600-9.

Участие в разработках основных образовательных программ в соответствии с ФГОС

бакалавров:

150100 Материаловедение и технологии материалов (профиль «Материаловедение и технологии новых материалов»);
221400 Управление качеством (профиль «Системы менеджмента качества инновационных организаций»);

и магистров:

150100 Материаловедение и технологии материалов (магистерская программа «Современные материалы и нанотехнологии»);
050100 «Педагогическое образование» (магистерская программа «Системы менеджмента качества в образовании»);
21400 Управление качеством (магистерская программа «Менеджмент качества в инженерной и образовательной деятельности»)

Премии и награды:

Почетный знак СГУ за успехи в научно-образовательной деятельности в связи со 100-летием Саратовского государственного университета , 2009 г.

Преподаваемые дисциплины:

Учеб. вычисл. прак. (27.03.02 «Упр. качеством»)

Произв. технол. прак. (22.03.01 «Материал. и технологии материалов»)

Основы материаловед. многокомп. материалов (22.03.01 «Материал. и технологии материалов»)

Средства и методы менеджмента качества в проф. деят. (22.04.01 «Материал. и технологии материалов»; 27.04.02 «Упр. качеством»)

Учеб. патентовед. прак. (22.04.01 «Материал. и технологии материалов»; 27.04.02 «Упр. качеством»)

Прак. по получ. профессион. умений и опыта профессион. деят. (27.03.02 «Упр. качеством»)

Основы материаловед. (27.03.02 «Упр. качеством»; 27.03.05 «Инноватика»)

Материаловедение: тех. и биотех. материалы (12.03.04 «Биотех. системы и технологии»)

Физич. процессы в материалах под дейст. оптич. и СВЧ излучений (22.03.01 «Материал. и технологии материалов»)

Статис. методы в упр. кач. (27.03.02 «Упр. качеством»)

Научно-исслед. практика (22.04.01 «Материал. и технологии материалов»)

Наномет. и нанодиагн. (22.04.01 «Материал. и технологии материалов»; 27.04.02 «Упр. качеством»)

Основные научные публикации:

Общее количество научных публикаций – более 70

Монография:

Стецюра С.В, Технология и применение гетерогенных структур на основе сульфоселенидов кадмия / С.В. Стецюра, И.В. Маляр, С.Б. Вениг. – Саратов : Изд-во Сарат. Ун-та, 2013. – 192 с. ISBN 978-5-292-04211-2;

Глава в коллективной монографии:

A.G. Rokakh, A.A .Serdobintsev, S.V. Stetsyura, A.G. Zhukov, M.D. Matasov, I.V. Malyar. Optical Control of Ion Sputtering // Handbook on Mass Spectrometry: Instrumentation, Data and Analysis, and Applications / Ed. by J. K. Lang. – Nova Science Publishers, 2009, p.325-344.

Статьи:

Козловский А. В., Стецюра С. В. Особенности формирования органического полиэлектролитного слоя на освещаемой полупроводниковой подложке // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2022. Т. 22, вып. 3. С. 254-265. DOI: 10.18500/1817-3020-2022-22-3-254-265;
A.V. Kozlowski and S.V. Stetsyura Dependence of field-effect biosensor sensitivity on photo-induced processes in Si and its conductivity type // Journal of Physics: Conference Series, 2021, Vol. 2086, 012189 (5 p.);
Стецюра С.В., Козловский А.В., Митин Д.М., Сердобинцев А.А. Влияние слоя аморфного кремния на адсорбционные свойства полупроводниковой структуры в условиях фотостимуляции // Письма в «Журнал технической физики», 2019, Т. 45, вып. 2, (Stetsyura S.V., Kozlowski A.V., Serdobintsev A.A., Mitin D.M. The influence of an amorphous silicon layer on the adsorption properties of a semiconductor structure under photostimulation conditions // Technical Physics Letters. 2019. V. 45. № 1. P. 12-15.);
A.V. Kozlowski and S.V. Stetsyura Kinetics of photo-stimulated adsorption of enzyme molecules onto n- and p-type silicon // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering, 2019, Vol. 699, 012022 (4 p.);
Kharitonova P.G., Stetsyura S.V., Kozlowski A.V., Malyar I.V. Fabrication of nanocomposite film coatings to increase the radiation hardness of cds-like photoconductors // Journal of Physics: Conference Series. 2019. V. 1199. 012008 (4р.). doi:10.1088/1742-6596/1199/1/012008;
A.A. Maslennikova, A.V. Kozlowski, S. Santer and S.V. Stetsyura The influence of illumination and ionic strength of a solution on the formation of biosensor structure based on a silicon substrate and glucose oxidase molecules // Journal of Physics: Conference Series, 2019, Vol. 1400, 077052 (6 p.) DOI: 10.1088/1742-6596/1400/7/077052;
A.V. Kozlowski, S.V. Stetsyura, I.V. Malyar The influence of photo-stimulated adsorption of polyelectrolyte molecules on electro-physical characteristics of structures based on single crystal silicon substrates // Journal of Physics: Conference Series, 2018, V.1124, 081006 (5 p.), DOI:10.1088/1742-6596/1124/8/081006;
A.V. Kozlowski, E.D. Kiseleva, A.A. Maslennikova, S.V. Stetsyura Change in the surface density of immobilized enzyme molecules induced by photoelectron processes in a silicon substrate // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering, 2018, V. 443, 012016 (6 p.), DOI:10.1088/1757-899X/443/1/012016;
И.В. Маляр, О.И. Гуслякова, Д.М. Митин, С.В. Стецюра Управляемая электрическим полем адсорбция микрокапсул при создании планарных структур // Письма в ЖТФ, 2018, том 44, вып. 4, С. 9-16 (Malyar, I.V., Guslyakova, O.I., Mitin, D.M., Stetsyura, S.V. Electric-Field-Controlled Adsorption of Microcapsules under Fabrication of Planar Structures // Technical Physics Letters, 2018, Vol.44 ();
S.A. Klimova; S.V. Stetsyura; S.B. Venig, et al. The effect of Langmuir arachidic acid layers on surface morphology and electrical properties of a polycrystalline CdS film // International Journal of Nanotechnology, 2018. V.15 №.4/5, pp.402 – 416;
Стецюра С. В., Маляр И. В., Харитонова П. Г. Формирование наноразмерных и субмикронных стоков радиационных дефектов на поверхности фотопроводника // Прикладная физика (Москва). 2018. № 4. C. 68 – 73 (Scopus - Applied Physics);
Стецюра С.В., Харитонова П.Г Исследование гетерофазных поликристаллических пленок на основе сульфида кадмия с добавлением сульфида свинца // Нано- и микросистемная техника. 2018, № 5. С. 277 – 286;
Стецюра С. В., Маляр И. В., Харитонова П. Г., Глуховской Е.Г. Свинецсодержащие островковые покрытия для модификации свойств полупроводниковых структур // Нано- и микросистемная техника. 2018. №12. С.745-756;
I.V Malyar, D.A Gorin, S. Santer, S.V. Stetsyura Photo-assisted adsorption of gold nanoparticles onto a silicon substrate // Applied Physics Letters (USA), 2017, Vol. 110 (13), P. 133104. IF 3.521. DOI: 10.1063/1.4979082;
Стецюра С.В., Козловский А.В., Маляр И.В. Влияние типа проводимости кремниевой подложки на эффективность метода фотостимулированной адсорбции полиэлектролитов // Письма в ЖТФ, 2017, Т. 43, вып. 8, С. 26-33;
Стецюра С.В., Козловский А.В. Влияние фотоэлектронных процессов в полупроводниковой подложке на адсорбцию поликатионных и полианионных молекул // Письма в ЖТФ, 2017, Т. 43, вып. 6, С. 15-22;
Стецюра С.В., Буланов М.С., Козловский А.В., Маляр И.В. Электростатический потенциал как фактор контролируемого синтеза гибридных структур // Нано- и микросистемная техника, 2017, №2, С. 85-92;
С.В. Стецюра, А.В. Козловский, И.В. Маляр Электрическая пассивация поверхности кремния полиэлектролитным покрытием // Письма в ЖТФ, 2015, Т. 41, вып. 4, С. 24-32 (S. V. Stetsyura, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar Electrical passivation of silicon surface by a polyelectrolyte coating // Technical Physics Letters, 2015, Vol. 41 (2), pp 168-171);
С.В. Стецюра, Е.Г. Глуховской, А.В. Козловский, И.В.Маляр Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фоточувствительных пленок CdS // ЖТФ, 2015, Т. 85, вып. 5, С. 116-122 (S. V. Stetsyura, E. G. Glukhovskoy, A. V. Kozlowski, I. V. Malyar Fabrication of ultrathin impurity source to minimize radiation-induced losses in photosensitive films of CdS // Technical Physics, 2015, Vol. 60 (5), pp 746-752);
Маляр И. В., Стецюра С. В. Влияние освещения на конформацию полиэлектролитных молекул при адсорбции на полупроводниковую подложку // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2014. Т. 14, вып. 2. С. 49-5;
I.V. Malyar, D. A. Gorin, S. Santer, and S. V. Stetsyura Photocontrolled Adsorption of Polyelectrolyte Molecules on a Silicon Substrate // Langmuir, 2013, 29 (52), p. 16058–16065, DOI: 10.1021/la403838n; Malyar I.V., Gorin D.A., Stetsyura S.V. Effect of nanodimensional polyethylenimine layer on surface potential barriers of hybrid structures based on silicon single crystal // Proc. of SPIE 8700. Bellingham. 2013. Vol 8700. P. 870009-870009-9 (ISSN: 0277786X);
Маляр И.В. Влияние освещения на параметры полимерного покрытия, осаждаемого из раствора на полупроводниковую подложку / И.В. Маляр, S. Santer, С.В. Стецюра // Письма в ЖТФ. 2013. Т. 39, вып. 14. С. 69-76 (Malyar I.V., Santer S., Stetsyura S.V. The Effect of Illumination on the Parameters of the Polymer Layer Deposited from Solution onto a Semiconductor Substrate //Technical Physics Letters. 2013. Т. 39. № 7. Р. 656-659);
Стецюра С.В., Буланов М.С., Маляр И.В. Внутренние и внешние электростатические поля как факторы формирования покрытия из полиэлектролитных молекул // Известия Сарат. ун-та. Новая серия. Физика. 2013. Т.13, вып.2. - стр. 71-77;
Стецюра С.В. Классический и органический полупроводниковые материалы в одной электронной структуре: вчера сегодня, завтра // Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей. Саратов: Издательский цент «Наука», 2013. С. 207-213;
Malyar I.V., Gorin D.A., Stetsyura S.V., Santer S. Effect of nanodimensional polyethylenimine layer on current voltage characteristics of hybrid structures based on silicon single crystal // Journal of Electronic Materials. 2012. Р. 3427-3435 (DOI: 10.1007/s11664-012-2266-4);
Стецюра С.В., Маляр И.В. Применение метода зонда Кельвина для исследования влияния полиэлектролитного покрытия и освещения на поверхностный потенциал кремния // Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии: сборник докладов Х Международной Конференции 13-16 ноября 2012 г. Минск: Беларуска Навука, 2012. С. 59-64 (ISBN 978-985-08-1483-8);
S.V. Stetsyura, S. A. Klimova, S. B. Wenig, I. V. Malyar and M. Arslan, I. Dincer and Y. Elerman Preparation and probe analysis of Langmuir–Blodgett films with metal-containing dendritic and cluster structures // Applied Physics A: Materials Science & Processing, 2012, Т. 109. № 3. С. 571-578 (DOI: 10.1007/s00339-012-7066-4);
Маляр И.В., Матасов М.Д., Стецюра С.В. Формирование люминесцирующих кристаллитов в результате распада пересыщенного твердого раствора PbS-CdS // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 36, вып. 16. С. 42-50 (V. Malyar, M. D. Matasov, and S. V. Stetsyura Forming Luminescent Grains via Decomposition of Supersaturated PbS–CdS Solid Solution // Technical Physics Letters, 2012, Vol. 38, № 8, p. 750-754);
Браташов Д.Н., Климова С.А., Сердобинцев А.А., Маляр И.В., Стецюра С.В. Создание микронных областей с измененными люминесцентными свойствами и топологией на пленках CdSXSe1-X посредством лазерного отжига // Письма в Журнал технической физики. 2012. Т. 38. № 12. С. 45-52 (D. N. Bratashov, S. A. Klimova, A. A. Serdobintsev, I. V. Malyar and S. V. Stetsyura. Creating micron regions with modified luminescent properties and topology on CdSxSe1−x films by laser annealing // Technical Physics Letters, 2012, V. 38, № 8, p. 572-575);
И.В. Маляр, С.В. Стецюра. Влияние морфологии и состава фаз поверхности на радиационную стойкость гетерофазного материала CdS-PbS // Физика и техника полупроводников. – 2011, Т. 45, вып. 7. – С. 916-922 (Malyar I.V., Stetsyura S.V. The effect of morphology and surface composition on radiation resistance of heterogeneous material СdS-PbS Semiconductors. 2011. Т. 45. № 7. С. 888-893);
И.В. Маляр, С.В. Стецюра. Модификация поверхности полупроводниковой подложки с помощью органических монослойных покрытий и воздействия излучений // Вестник СГТУ. ¬– 2010, № 4 (51), Вып. 3. – С. 30-35;
С.В. Стецюра, И.В. Маляр, А.А. Сердобинцев, С.А. Климова. Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках // ФТП. – 2009. Т. 43, в. 8. – С. 1102-1108 (S. V. Stetsyura, I. V. Malyar, A. A. Serdobintsev, and S. A. Klimova. Effect of Parameters of Narrow-Gap Inclusions on the Type and Intensity of Secondary-Ion Photoeffect in Heterophase Photosensitive Semiconductors // Semiconductors, 2009, Vol. 43, No. 8, p. 1064–1070);
Вениг С.Б., Стецюра С.В., Глуховской Е.Г., Климова С.А., Маляр И.В. Формирование металлических кластеров в органическом монослое, полученном методом Ленгмюра // Нанотехника. 2009, Т. 3, Вып. 19. С. 49-54;
А.А. Сердобинцев, А.Г. Роках, С.В. Стецюра, А.Г. Жуков. Вторично-ионная масс-спектрометрия фотопроводящих мишеней // ЖТФ. 2007. Т. 77, в. 11. – С. 96-102 (A.A. Serdobintsev, A.G. Rokakh, S.V.Stetsyura, A.G. Zhukov. Secondary-Ion Mass Spectrometry of Photoconducting Targets // Technical Physics, 2007, Vol. 52, No. 11, p. 1483–1489);
Ворошилов С.А., Стецюра С.В., Ворошилов А.С., Куренков В.Е., Якимов С.В. Применение статистических методов в управлении охраной труда и промышленной безопасностью // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Экономика. Управление. Право. 2007. Т. 7. № 1. С. 45-52;
Стецюра С.В., Глуховской Е.Г., Климова С.А., Маляр И.В. Фоточувствительные материалы с наноразмерными включениями, полученные с использованием технологии Ленгмюра-Блоджетт // Вестник СГТУ. 2007, № 2(1). С. 112-118.
Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В.Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы // Журнал технической физики. 2003. Т. 73. № 2. С. 93-98

Патенты:

Патент RU 2328059 C1, МПК Н01L 31/18. С.В. Стецюра, Е.Г. Глуховской, А.А. Сердобинцев, И.В. Маляр. Способ изготовления фотопроводящих радиационно-стойких пленок. Заявлено 14.12.06. Опубл. 27.06.08. Бюл. № 18.
Патент на изобретение RU 2529216 C1, МПК C09D201/00 Стецюра С.В., Маляр И.В. Способ изготовления тонкопленочного органического покрытия // Пат. RU 2529216, МПК C09D201/00, заявка 2013105510/05, опубл. 27.09.2014. Бюл. № 27. - 16 с.: ил.: Приор. от 11.02.2013
Патент на изобретение RU 2546119 C2, МПК H01L31/18 Стецюра С.В., Климова С.А. Способ изготовления фотопроводящих радиационно-стойких структур // Пат. RU 2546119, МПК H01L31/18, заявка 2013135567/04, опубл. 10.04.2015. Бюл. № 10. - 19с.: ил.: Приор. от 30.07.2013
Патент на изобретение RU 2562991 C2, МПК H01L21/312 Стецюра С.В., Козловский А.В., Маляр И.В. Способ электрической пассивации поверхности монокристаллического кремния // Пат. RU 2562991, МПК H01L21/312, заявка 2014105510/05, опубл. 10.09.2015. Бюл. № 25. - 18 с.: ил.: Приор. от 31.01.2014
Патент на изобретение RU 2644979 C2, МПК H01L51/00 Стецюра С.В., Козловский А.В. Способ изготовления биосенсорной структуры // Пат. RU 2644979, МПК H01L51/00, заявка 2016126165, опубл. 15.02.2018. Бюл. № 5. - 17 с.: ил.: Приор. от 30.06.2016

Участие и организация конференций:

Международная конференция «Micro- and Nanoelectronics – 2012» (ICMNE-2012), Звенигород, Россия, 2012 г.

Международная школа-семинар «Nanoparticles, Nanostructured Coatings and Microcontainers: Technology, Properties, Applications» , Анталия (2011, Турция); Потсдам-Гольм (2013, Германия); Гент (2014, Бельгия); Саратов (2015, Россия), с 2012 по 2015 г.

Х Международная конференция «Методологические аспекты сканирующей зондовой микроскопии», Минск, Белоруссия, 2012 г.

Всероссийская научная школа-семинар "Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами", Саратов, Россия, 2014-2016, 2018, 2019 г.

Всероссийская научная школа-семинар "Методы компьютерной диагностики в биологии и медицине", Саратов, Россия, с 2010 по 2019 г.

Международная конференция PhysicA.SPb/2019, Санкт-Петербург, Россия, 2019 г.

Международная научно-техническая конференция “Микро- и нанотехнологии в электронике”, п. Эльбрус, с 2017 по 2018 г.

Симпозиум «Современная химическая физика» , п. Шепси, 2015, 2016, 2018 г.

5-я Международная школа-конференция "Saint-Petersburg OPEN-2018" по оптоэлектронике, фотонике, нано- и биотехнологиям, Санкт-Петербург, Россия, 2018 г.

Международная конференция «Scanning Probe Microscopy», Екатеринбург, Россия, с 2017 по 2019 г.

Выпущенные аспиранты и докторанты:

Климова Светлана Александровна, 2010 г.

Маляр Иван Владиславович, 2012 г.

Козловский Александр Валерьевич, Кандидатская диссертация Козловского Александра Валерьевича, 2019 г.

Дополнительная информация:

Руководство и участие в грантах и научных проектах:

Инициативный грант РФФИ 11-08-00529-а «Управление свойствами поверхности гетерофазного фотопроводника лазерным и электронным облучением и селективной адсорбцией наноструктурированных слоев» (2011-2013 гг.) – руководитель;
Междисциплинарный грант ориентированных фундаментальных исследований – РФФИ 11-08-12058-офи-м-2011 Создание мультфункциональных нанокомпозитных структур с возможностью адаптации их физико-химических свойств под воздействием ионизирующего и лазерного излучений, (2011 – 2012) – руководитель;
Инициативный грант РФФИ 06-08-01609-а «Взаимодействие радиационно-стойких гетерофазных полупроводников с ускоренными ионами и видимым светом» (2006-2007 г.г.) – ответственный исполнитель;
Инициативный грант РФФИ 08-08-00764-а «Исследование процессов самоорганизации наноразмерных кластеров в фотопроводниках и их влияние на радиационную стойкость» (2008-2010 г.г.) - ответственный исполнитель;
Международный грант РФФИ/TUBITAK 10-08-91219-СТ_а «Влияние морфологии, условий получения и внешних воздействий на диэлектрические и магнитные свойства нанокомпозитов» (2010-2011 г.г.) – ответственный исполнитель;
Инициативный грант РФФИ 16-08-00524-а «Формирование регулируемого освещением пространственного и потенциального рельефа на границе раздела "полупроводник-органическое покрытие» (2016 -2018г.) – научный руководитель;
Гос. контракт от 13.11.14 №05.P14.12.0006 «Разработка образовательной программы магистратуры по направлению подготовки «Материаловедение и технологии материалов» с направленностью (профилем): «Материаловедение фармацевтического и медицинского назначения», в рамках мероприятия 5.22 ФЦП «Развитие фармацевтической и медицинской промышленности РФ на период до 2020 года и дальнейшую перспективу» (2014-2015) - ответственный исполнитель;

Научный руководитель индивидуальных НИОКР аспирантов в рамках программы «Участник молодежного научно-инновационного конкурса» (У.М.Н.И.К.) Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере:

«Исследование методами атомно-силовой микроскопии органических покрытий, полученных при разных режимах нанесения» 2009- 2010 гг. (Климова С.А.)
«Разработка технологии модификации поверхности полупроводников с целью управления распределением потенциала для создания подложек биочипов» 2011-2012 гг. (Маляр И.В.)
«Разработка электро-химического биодатчика с улучшенными характеристиками» 2015-2016 гг. (Козловский А.В.)

Повышение квалификации:

Внутренний аудит системы менеджмента качества, Институт дополнительного профессионального образования ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2021 г.

Использование электронной информационно-образовательной среды и информационно-коммуникативных технологий в образовательном процессе, Институт дополнительного профессионального образования ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2019 г.

Современные образовательные технологии в профессиональном образовании, ИДПО СГУ, 2018 г.

Аудиты систем менеджмента качества, ИДПО СГУ, 2018 г.

Аудиты систем менеджмента качества, ИДПО СГУ, 2015 г.

Наночастицы, наноструктурированные покрытия и микроконтейнеры: технология, свойства и применения, университет Гента, Бельгия, 2014 г.

MPIKG, Гольм/Потсдам, Германия, 2012 г.

MPIKG, Гольм/Потсдам, Германия, 2011 г.

Центр повышения квалификации руководителей, г. Пушкино, Санкт-Петербург, 2011 г.

Анкарский университет, Турция, 2011 г.

Анкарский университет, г. Анкара, Турция, 2010 г.

МГУ им. М.В. Ломоносова, 2010 г.

ГОУ ВПО "Донской государственный технический университет", г. Ростов-на-Дону, 2009 г.

курсы Европейского центра по качеству, тематическое обучение , г. Саратов, 2008 г.

Ганноверский университет имени Лейбница, г. Ганновер, Германия, 2008 г.

Институт физики

Кафедра материаловедения, технологии и управления качеством

Документы

Стецюра

Светлана

Викторовна

Институт физики

Кафедра материаловедения, технологии и управления качеством

Документы

Вы здесь

Стецюра Светлана Викторовна

Стецюра

Светлана

Викторовна