Феклистов
Владимир
Борисович
Феклистов
Владимир
Борисович
Доцент
Образование:
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 1975 г., Полупроводники и диэлектрики / физика
Диссертации и учёные степени:
Кандидат физико-математических наук, Особенности распространения волны в волноводе, частично заполненном полупроводником и диэлектриком, 1988 г.
Учёное звание:
Доцент по кафедре физики твёрдого тела, 1998 г.
Научные интересы:
Электроника СВЧ
Методы исследования материалов
Устройства медицинского назначения
Общий стаж:
52 года
Стаж по специальности:
46 лет
Работа в университете:
Доцент, Кафедра физики твёрдого тела, с 1995 по н.в.
Старший преподаватель, Кафедра физики твёрдого тела, с 1986 по 1995
Лаборант, Кафедра физики твёрдого тела, с 1981 по 1986
Трудовая биография:
1978-1981 м.н.с. НИС Куйбышевского госуниверситета.
Премии и награды:
Изобретатель СССР
Биографический текст:
1975 окончил физический факультет Саратовского государственного университета им. Н.Г. Чернышевского по специальности "Полупроводники и диэлектрики".
Читаемые лекционные курсы
«Охрана труда», «Измерение параметров полупроводников и диэлектриков на СВЧ», «Биомеханика органов и тканей», «Биомеханика искусственных органов»
Научные интересы
• Электродинамика СВЧ
• Методы исследования материалов
• Устройства медицинского назначения
Научные визиты и конференции
• Стажировался в Московском институте электронной техники в 2007 году и Санкт-Петербургском государственном электротехническом университете ”ЛЭТИ” в 2008 году.
• Выступал с докладами на научных конференциях, включая Всесоюзные, и международные.
Коллективные проекты
Является исполнителем грантов Минобразования РФ по фундаментальным исследованиям в области технических наук, научно-исследовательских проектов в рамках программ Минобpазования РФ «Научные исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники», «Инновационная деятельность высшей школы».
Прочее
• Участвовал в разpаботке измеpителей паpаметpов тонких металлических и диэлектрических слоев, выпущенных в виде опытных паpтий на заводе «Тантал», в Центpальном НИИ измеpительной аппаpатуpы, НИИ механики и физики пpи СГУ и внедpенных в НПО «Молния», НПО «Энеpгия», НПО «Исток», ЦНИИИА, ГНПП «Алмаз», НИИ ПМЭ МАИ, МАИ, СНИИМ, ВНИИ «Электpонстандаpт», СЗПИ, ОАО «НИИ «Феррит-Домен».
• Награжден знаком «Изобретатель СССР»
• Награжден золотыми, серебряными и бронзовыми медалями за разработанные приборы, экспонировавшиеся на ВДНХ СССР и международных, в том числе зарубежных выставках.
Преподаваемые дисциплины:
Охрана труда (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»; 03.03.02 «Физика»)
Биомеханика органов и тканей (03.03.02 «Физика»)
Биомеханика искусственных органов (12.03.04 «Биотехнические системы и технологии»)
Измерение параметров полупроводников микро- и наноструктур на СВЧ (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Физ процессы в материалах под действием оптического и СВЧ излучений (22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»)
Основные научные публикации:
- Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Феклистов В.Б., Рузанов О.М., Тимофеев И.О. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ОТНОСИТЕЛЬНОЙ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ// Патент на изобретение RU 2716600 C1, 13.03.2020. Заявка № 2019119672 от 25.06.2019.
- Скрипаль А.В., Добдин С.Ю., Джафаров А.В., Садчикова К.А., Феклистов В.Б. ИЗМЕРЕНИЕ РАССТОЯНИЯ ПРИ ГАРМОНИЧЕСКОЙ МОДУЛЯЦИИ ДЛИНЫ ВОЛНЫ ЛАЗЕРНОГО АВТОДИНА С УЧЁТОМ ВНЕШНЕЙ ОПТИЧЕСКОЙ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ// Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2020. Т. 20. № 2. С. 84-91.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Добдин С.Ю., Кащавцев Е.О., Феклистов В.Б. ЛАЗЕРНАЯ АВТОДИННАЯ ИНТЕРФЕРОМЕТРИЯ МИКРО- И НАНОПЕРЕМЕЩЕНИЙ ДЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ДИАГНОСТИКИ В МЕДИЦИНЕ// В сборнике: Нано- и биомедицинские технологии. Управление качеством. Проблемы и перспективы. Сборник научных статей. Саратов, 2016. С. 138-149.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. ИЗМЕРЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ НАНОМЕТРОВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ВОЛНОВОДНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАНСА// В сборнике: 26-я Международная Крымская конференция "СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии" (КрыМиКо'2016). Материалы конференции. В 13 томах. 2016. С. 2023-2029.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. ВОЛНОВОДНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ РЕЗОНАНС В СИСТЕМЕ С НАНОМЕТРОВЫМ МЕТАЛЛИЧЕСКИМ СЛОЕМ НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКЕ// Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2016. Т. 16. № 2. С. 86-90.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВОЛНОВОДНО-ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО РЕЗОНАНСА ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НАНОМЕТРОВЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ// Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2016. Т. 2. С. 290-294.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Усанова Т.Б., Феклистов В.Б., Добдин С.Ю. ЛАЗЕРНЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ВНУТРИГЛАЗНОГО ДАВЛЕНИЯ// В сборнике: Современные проблемы биофизики, генетики, электроники и приборостроения. II Всероссийский семинар памяти профессора Ю.П. Волкова. Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А., 2015. С. 142-144.
- Занин В.И., Феклистов В.Б., Трофимов Д.А. АНОМАЛЬНОЕ ОТРАЖЕНИЕ ВОЛНЫ СРЕДНЕЙ МОЩНОСТИ В ПРЯМОУГОЛЬНОМ ВОЛНОВОДЕ С ПОЛУПРОВОДНИКОМ// В сборнике: Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами. Материалы Всероссийской научной школы-семинара . Ответственный редактор Д.А. Усанов. 2015. С. 155-157.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Усанова Т.Б., Феклистов В.Б., Добдин С.Ю. АНАЛИЗ АВТОДИННОГО СИГНАЛА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА ПРИ ИЗМЕРЕНИИ ВНУТРИГЛАЗНОГО ДАВЛЕНИЯ// В сборнике: Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами. Материалы Всероссийской научной школы-семинара. Ответственный редактор Д.А. Усанов. 2015. С. 85-88.
- Usanov D.A., Skripal' A.V., Abramov A.V., Bogolyubov A.S., Korotin B.N., Feklistov V.B., Ponomarev D.V., Frolov A.P. NEAR-FIELD MICROWAVE MICROSCOPY OF NANOMETER-SCALE METAL LAYERS ON DIELECTRIC SUBSTRATES// Semiconductors. 2012. Т. 46. № 13. С. 1622-1626.
- Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Abramov A.V., Bogolubov A.S., Korotin B.N., Feklistov V.B., Ponomarev D.V., Frolov A.P. MICROWAVE IMAGING OF THE CERAMIC PLATE SURFACE WITH THE NANOMETER METAL LAYER BY MEANS OF THE NEAR-FIELD MICROSCOPE BASED ON THE GUNN-DIODE OSCILLATOR// В сборнике: European Microwave Week 2011: "Wave to the Future", EuMW 2011, Conference Proceedings - 41st European Microwave Conference, EuMC 2011. 2011. С. 210-213.
- Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Abramov A.V., Bogolubov A.S., Korotin B.N., Feklistov V.B., Ponomarev D.V., Frolov A.P. THE NEAR-FIELD MICROWAVE MICROSCOPY OF NANOMETER METAL LAYERS// В сборнике: CriMiCo 2011. 21st International Crimean Conference: Microwave and Telecommunication Technology, Conference Proceedings. комплект в 2 томах. 2011. С. 667-668.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Пономарев Д.В., Фролов А.П. БЛИЖНЕПОЛЕВАЯ СВЧ-МИКРОСКОПИЯ НАНОМЕТРОВЫХ СЛОЕВ МЕТАЛЛА НА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖКАХ// Известия высших учебных заведений. Электроника. 2011. № 5 (91). С. 83-90.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Вагарин А.Ю. ИНДИКАТОР КАЧЕСТВА ВОДЫ// Патент на изобретение RU 2332660 C1, 27.08.2008. Заявка № 2007113158/28 от 09.04.2007.
- Усанов Д.А., Вениг С.Б., Феклистов В.Б., Скрипаль А.В. Лабораторные работы по курсу "Измерение параметров полупроводников на СВЧ". Изд-во Сарат.ун-та, г.Саратов. 1997 г., 140 с.
- Усанов Д.А., Феклистов В.Б ., Шишкин Г.Г. и др. Изменение знака невзаимности в затухании волны в волноводе. // "Радиотехника и электроника" 1979, Т.24, № 8, с.1677-1680.
- Усанов Д.А., Вагарин А.Ю., Феклистов В.Б. Влияние высших типов волн на затухание волны в волноводе, содежащем полупроводник. "Радиотехника и электроника" 1979, Т.24, № 8, с. 1681-1683.
- Усанов Д.А., Занин В.И., Феклистов В.Б. Зависимость затухания волны в волноводе, содержащем двухслойную структуру полупроводник-диэлектрик, от проводимости и толщины полупроводника // "Известия Вузов. Радиофизика" 1992, Т.35, № 8, с.715-723.
Повышение квалификации:
«Современные образовательные технологии в профессиональном образовании», ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2022 г.
Современные образовательные технологии в профессиональном образовании., ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2019 г.
АО "НПЦ "Алмаз-Фазотрон", 2016 г.
