Гетеромагнитная микроэлектроника –
сборник научных трудов
(периодичность – 2 раза в год)
ISSN 1810-9594. Подписной индекс 29005
Рекомендован ВАК для публикации результатов диссертаций
на соискание ученой степени кандидата и доктора наук. Входит в базу данных
Российского индекса научного цитирования (РИНЦ)
Сборник издается с 2004 года
Сборник «Гетеромагнитная микроэлектроника» является единственным из отечественных периодических научно-технических изданий в новой области гетеромагнитной микро- и нано- электроники, магниточувствительной схемотехники. В сборнике освещаются состояние и текущее развитие в области разработки, создания и практического использования современных магниточувствительных устройств и систем в технике, экономике, физическом образовании. В сборнике также публикуются работы по аналого-цифровым системам на кристалле, радиоэлектронике СВЧ-, КВЧ-приборов, системам защиты и обработки информации.
Сборник научных трудов «Гетеромагнитная микроэлектроника» включает большой комплекс разделов: «Компьютерное моделирование», «Теоретические и экспериментальные исследования и технологии», «Прикладные аспекты (синтез частот, усиление, магнитометрия, генерация)», «Экологические аспекты», «Патентные исследования по направлениям», «Экономические проблемы в оборонно-промышленном комплексе», «Проблемы современного физического образования», «Новые информационные системы», «Системы защиты информации» и др.
Новизна направления магниточувствительной микро- и наноэлектроники, перспективный характер различных прикладных аспектов (связь, навигация, локация, защита информации, медико-биологическая магнитометрия, геофизика магнитной разведки и др.) определяют увеличение публикаций по этой тематике.
Материалы сборника полезны специалистам-разработчикам, аспирантам и студентам, специализирующимся или проявляющим интерес к направлению магниточувствительной микро- и нано- электроники и её прикладным аспектам.
Основные тематические направления сборника:
- Общие вопросы гетеромагнитной микроэлектроники;
- Магнитная наноэлектроника;
- Математическое моделирование;
- Схемотехника;
- Аналого-цифровые системы на кристалле;
- САПР;
- Системы обработки информации;
- Прикладные аспекты;
- Экономические проблемы в оборонно-промышленном комплексе;
- Проблемы физического образования.
Для специалистов-разработчиков, экспертов, а также аспирантов и студентов.
Решением Президиума ВАК Министерства образования и науки РФ издание включено в Перечень ведущих рецензируемых изданий, в которых рекомендуется публикация основных результатов диссертационных исследований на соискание ученой степени доктора и кандидата наук.
12.01.2012 29 декабря 2011г. Роскомнадзор разрешил ОАО «НИИ-Тантал» (ныне ОАО "Институт критических технологий") депонирование научных работ ограниченного доступа в издаваемом им сборнике «Гетеромагнитная микроэлектроника», включенном в Перечень ВАК Минобрнауки РФ.
Депонирование научных работ ограниченного доступа является основной формой их публикации для соискания ученых степеней доктора и кандидата наук.
ОАО « Институт критических технологий» гарантирует принятие от авторов на депонирование рукописей НИР и ОКР (статей, обзоров, монографий и др.) и удовлетворение информационных запросов на депонированные работы по следующей тематике: гетеромагнитная микро – и наноэлектроника, нанотехнологии, схемотехника, аналого-цифровые системы на кристалле, САПР, системы защиты информации, радиоэлектроника; СВЧ-, КВЧ приборы для военной и специальной техники.
Входящие в сборник работы в авторской редакции по указанной тематике подлежат депонированию в Центре специальной информации ОАО « Институт критических технологий» в установленном порядке.
Для депонирования работ авторами должны быть представлены следующие документы:
Текст работы (в сброшюрованном виде) в 2-х экз.
Реферат (до 500 знаков) в 2-х экз.
Учетная карта
Сопроводительное письмо
Почтовая открытка для информацирования авторов о депонировании и выходе сборника научных трудов
Указанные документы направляются в ОАО « Институт критических технологий» в установленном порядке по адресу:
Россия, 410040, г. Саратов, пр-т 50 лет Октября, 110-А
Тел.: 8(8452) 63-28-20, 8(8452) 34-08-70
Факс: 8(8452) 48-11-83, 8(8452) 34-08-70
E-mail: kbkt@renet.ru
Редакционная коллегия:
А. А. Игнатьев, д-р физ.-мат. наук, проф. (отв. редактор); М. Н. Куликов, канд. физ.-мат. наук, проф. (зам. отв. редактора); Л. Л. Страхова, канд. физ.-мат. наук, доц. (отв. секретарь); С. Ю. Глазьев, д-р экон. наук, проф., акад. РАН; В. И. Борисов, д-р техн. наук, член-корр. РАН; С. А. Никитов, д-р физ.-мат. наук, проф., член-корр. РАН; О. С. Сироткин, д-р техн. наук, проф., член-корр. РАН; О. Ю. Гордашникова, д-р экон. наук, проф.; А. Н. Плотников, д-р экон. наук, проф.; Е. А. Наумов, Л. С. Сотов, д-р. техн. наук, проф.; канд. экон. наук, проф.; А. А. Солопов, канд. экон. наук; С. П. Кудрявцева, канд. техн. наук, доц.; С. В. Овчинников, канд. физ.-мат. наук, доц.; В. А. Малярчук, канд. техн. наук., доц.; А. Л. Хвалин, канд. техн. наук, доц.; Б. А. Медведев, канд. физ.-мат. наук, доц.; Л. А. Романченко, канд. техн. наук, доц.; А. С. Краснощекова, зам. нач. КБ КТ по общим вопросам (референт ОАО «Институт критических технологий»)
Образец акта экспертной комиссии, doc
