К 85-летию профессора Рокаха А.Г.
К 85-летию профессора Рокаха А.Г.
Профессор Роках Александр Григорьевич родился 23 июля 1934 г. в Москве. В 1941 г. вместе с семьей был эвакуирован в г. Саратов и на следующий год пошел в 1 класс в начальную школу № 26 Саратова. После окончания школы в 1952 г. поступил, а в 1957 г. окончил физический факультет Саратовского государственного университета и был оставлен в должности лаборанта при кафедре физики твердого тела, которой заведовала Зинаида Ивановна Кирьяшкина. Дипломную работу Александр Григорьевич выполнял в Ленинградском Институте полупроводников Академии наук СССР под руководством Владимира Пантелеймоновича Жузе. В.П. Жузе известный своими научными трудами по физике полупроводников и диэлектриков и в нашей стране, и за рубежом физик, ближайший сотрудник академика Иоффе А.Ф., проработав в Саратовском университете около десяти лет в 30-е и 40-годы прошлого века, по существу был основателем исследовательской тематики и учебной специальности по полупроводникам и диэлектрикам в СГУ, сохранил тесные научные и личные связи с Саратовским университетом.
После окончания университета А.Г. Роках занимался под руководством доцента (впоследствии профессора) Кирьяшкиной З.И. изучением воздействия света и электронных потоков на электропроводность полупроводников. Тематика исследований была связана с готовившимся полетом человека в космос. Это определило направление его исследований и на последующие годы уже в качестве руководителя научной группы. Объектами исследования были выбраны пленки полупроводниковых соединений А2В6 типа CdS. После выступления Александра Григорьевича в Институте полупроводников АН УССР с предоставлением полученных им фотопроводящих образцов и публикаций в «Украинском физическом журнале» пленки полупроводниковых соединений А2В6 получили распространение также в нескольких университетах Украины. Впоследствии в Саратовском университете свойства этих пленок были улучшены. Они стали изготовляться в виде ограниченных твердых растворов типа А2В6-А4В6 (главным образом, радиационно-стойкие пленки CdS-PbS).
На этих объектах проведено экспериментальное и теоретическое изучение поперечной и продольной фотопроводимости, а также катодопроводимости квазимонополярных полупроводников, различных видов фотодиэлектрического эффекта, в том числе обнаруженных им поверхностного и отрицательного фотоемкостного (то есть по-существу - фотоиндуктивного) эффектов и предложена новая классификация фотодиэлектрических (фотоимпедансных) эффектов. Выполнено экспериментальное и теоретическое исследования аномального экранирования электрического поля в широкозонном полупроводнике, заключающееся в росте длины экранирования с увеличением концентрации носителей заряда, проявляющееся в работе тонкопленочных транзисторов современных дисплеев.
Обобщением научных исследований, проведенных А.Г. Рокахом в период с 1955 г. по 1985 г., стали успешные защиты кандидатской (1964 г.) и докторской (1985 г.) диссертаций. Стоит сказать, что кандидатскую диссертацию А.Г. Роках защищал в один день с Б.Н. Климовым, впоследствии профессором и первым заведующим кафедрой физики полупроводников СГУ. И это были первые (вместе с защитой кандидатской диссертации в 1963 г. Зоей Ивановной Орнатской) после долгого перерыва кандидатские диссертации в коллективе университетских физиков-полупроводникистов. О защите докторской диссертации Александром Григорьевичем тоже можно сказать особо. Дело в том, что ни кандидатского, ни, тем более, докторского диссертационных советов по физике полупроводников и диэлектриков в 70-е и 80-е годы в Саратовском университете и в Саратове не было. Поэтому А.Г. Роках защищал докторскую диссертацию в Кишиневе по приглашению председателя совета академика АН Молдавской ССР С.И. Радауцана. Тем соискателям, которые защищали диссертации в «чужих» советах, хорошо известно, какие дополнительные трудности при этом возникают.
В конце прошлого столетия на кафедре физики полупроводников начались исследования ионного фотоэффекта, открытого в научной группе профессора Рокаха А.Г. на пленках CdS-PbS. Указанное физическое явление выражается в уменьшении или увеличении выхода вторичных ионов при освещении видимым светом разного спектрального состава. На некоторых полупроводниковых структурах (GaAs-AlGaAs) увеличение выхода ионов при освещении достигает сотен процентов, что позволяет говорить о зарождении нового научно-технического направления – оптоионики.
Исследования профессора Рокаха А.Г. не прошли незамеченными международной научной общественностью. Кроме публикаций в авторитетных отечественных научных журналах («ФТП», «ЖТФ», «Письма в ЖТФ») труды по вторично-ионному фотоэффекту были опубликованы в Нью-йоркском издательстве в серии «Handbook» и других международных журналах, а международный журнал «Physics Express» сделал А.Г. Рокаха членом редколлегии и, отмечая его большой авторитет в области науки о полупроводниках, учредил награду за лучшую статью по физике полупроводников «Prof. A.G. Rokakh Award», американское нано общество сделало его своим членом.
В последние годы А.Г. Роках занимается исследованием фотоэлектрических свойств полупроводниковых пленок, состоящих из нанообъектов, на основе полупроводников А2В6-А4В6 и А4В6.
Стоит отметить, что профессор Роках А.Г. в течение 20 лет активно сотрудничал со школами, работал с довузовской молодежью и, в частности, многие годы - со школьниками Лицея «Полупроводниковая электроника» на базе лицея № 37 г. Саратова, а также патронировал от кафедры физики полупроводников классы физико-математического профиля в лицее № 15 г. Саратова.
Сегодня А.Г. Роках – маститый профессор, доктор физико-математических наук, один из самых авторитетнейших физиков Саратовского университета, имеющий множество учеников. Он является Почетным работником высшего профессионального образования Российской Федерации, обладателем нагрудного знака Всесоюзного общества «Знание», действительным членом Международной академии акмеологических наук, Почетным профессором СГУ. А.Г. Роках – автор более 400 опубликованных научных и учебно-методических трудов, в числе которых 40 авторских свидетельств и патентов. Награжден нагрудным знаком «Изобретатель СССР».
А.Г. Роках, наряду с физикой, активно работает в области философии и психологии научного творчества, кроме диссертационных советов по физике, избирался членом докторского совета по философии науки, Председателем Ученого совета Зональной научной библиотеки СГУ. Около двух десятков лет является соруководителем научно-просветительского семинара по психологии, который посещают психологи города и студенты разных факультетов.
Профессор Роках А.Г., конечно, в первую очередь, физик-профессионал, но одновременно он еще и лирик-любитель. Мы знаем немало его очень интересных, глубоких, сюжетных и содержательных стихов, которыми он часто угощает и балует нас, своих коллег и друзей по разным поводам.
А.Г. Роках пришел к своему 85-летию с творческими замыслами. Пожелаем дорогому Александру Григорьевичу, нашему старшему коллеге и другу, здоровья, неиссякаемой творческой активности и дальнейших успехов и достижений во славу и на благо Саратовского университета и нашего общего очень важного дела.
Дорогой Александр Григорьевич! С Юбилеем!!! Всех благ Вам и здоровья! На радость и Вам, и нам!
Зав. кафедрой
физики полупроводников СГУ,
д.ф.-м.н., профессор А.И. Михайлов
Сентябрь 2019 г.
