Skip to main content Skip to search

Документы

Положение о НТЦ
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Научно-технологический центр "Микро- и наноэлектроника"

Научно-технологический центр "Микро- и наноэлектроника"

Адрес: 
КОНТАКТЫ: Адрес: г. Саратов, ул. Спицына, 1 (корпус 14а).
Телефон: 
+7 (8452) 27 - 11 - 96
Краткая информация: 

Ученые степени сотрудников:

 

Сучков Сергей Германович – доктор физико-математических наук, старший научный сотрудник

Пилипенко Елена Александровна – кандидат физико-математических наук

Тихонов Владимир Васильевич – доктор физико-математических наук, профессор

Толстиков Александр Владимирович – кандидат физико-математических наук, доцент

Николаевцев Виктор Андреевич – кандидат физико-математических наук

 

 

Научно-технологический центр «Микро- и наноэлектроника» создан с целью интеграции образования, науки и инновационной деятельности на базе современного технологического комплекса микро- и наноэлектроники, а также для разработки и производства изделий микро- и наноэлектроники мирового уровня.

 

Функции НТЦ «Микро- и наноэлектроника»:

Учебная: участие в разработке и реализации образовательных программ по направлениям «Микроэлектроника», «Радиофизика».

Научно-исследовательская: проведение фундаментальных и прикладных исследований, опытно-конструкторских и проектных работ в области радиоэлектроники.

Инновационная: разработка новой элементной базы и технологии их производства, изготовление и тестирование опытных партий, оказание научно-технологических услуг по изготовлению наноразмерных кристаллических структур для приборов микро- и наноэлектроники.

 

Задачи НТЦ «Микро- и наноэлектроника»:

обеспечение трансфера новых технологий в области радиоэлектроники;

создание и обеспечение благоприятных организационно-экономических условий и поддерживающей инфраструктуры для функционирования инновационного кластера в области электроники;

ведение научно-исследовательской и инновационной деятельности в области радиоэлектроники;

привлечение инвестиций в инновационную сферу;

участие в эффективном инновационном образовании, создании инновационных образовательных программ по направлениям «Микроэлектроника», «Радиофизика» и малых инновационных предприятий;

создание условий конвертируемости знаний студентов и аспирантов в области радиофизики и радиоэлектроники применительно к актуальным и передовым отраслям техники и разрабатываемым технологиям.

НТЦ «Микро- и наноэлектроника» посещали лауреат Нобелевской премии по физике,
председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, академик Жорес
Иванович Алферов, научный руководитель ИРЭ РАН, директор ИНМЭ РАН, академик и член
Президиума РАН, профессор и заведующий кафедрой твердотельной электроники и
радиофизики ФФКЭ МФТИ Гуляев Юрий Васильевич и другие ведущие российские и
зарубежные ученые

11 октября 2019 Карты брошены: геомагнитный сенсор может стать альтернативой ГЛОНАСС
Разрабатываемый в России прибор обеспечит точную навигацию под водой (читать далее)
11 сентября 2019 Отчёт за 2018 год
Сотрудники НТЦ «Микро- и наноэлектроники» отчитались за работу по федеральной целевой программе за 2018 год (читать далее)
9 сентября 2019 Создание медицинского прибора
Разработка медицинского прибора. Сотрудники НТЦ «Микро- и наноэлектроника» опубликовали результаты разработки прибора медицинского назначения - миниатюрного измерителя кровенаполнения биотканей для экстренной медицины, медицины катастроф, онкологии.   (читать далее)
9 сентября 2019 VIII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ»
С 3 по 6 июня 2019 года в Санкт-Петербурге на базе СПбГЭТУ (ЛЭТИ) проходила  VIII Всероссийская научно-техническая конференция «Электроника и микроэлектроника СВЧ», посвященная достижениям в сфере вакуумной и твердотельной СВЧ электроники, антенных систем, а также прецизионным измерениям электрических параметров устройств в СВЧ диапазоне. (читать далее)