Проведенные З.И. Кирьяшкиной исследования были обобщены в ее докторской диссертации, которую она защитила в 1967 г. С момента открытия проблемной лаборатории полупроводников и по 1973 г., когда она вошла в состав НИИМФ, З.И. Кирьяшкина исполняла обязанности ее научного руководителя. С 1973 г. З.И. Кирьяшкина стала научным руководителем отдела физики полупроводников НИИМФ, в состав которого вошла также лаборатория микроэлектроники, организованная в качестве проблемной под научным руководством профессора Д.И. Биленко в 1962 г.
Студент Д. Биленко в учебной лаборатории (1953 г.)
В 1962 г. в СГУ создается проблемная лаборатория микроэлектроники под научным руководством Д.И. Биленко. В ходе структурной реорганизации НИИМФ в 1973 г. две лаборатории составили основу отдела № 3 НИИМФ – отдела физики полупроводников и микроэлектроники. Первым заведующим отделом № 3 стал Б.Н. Климов, заведующим лабораторией физики полупроводников стал Д.А. Усанов, а заведующим лабораторией микроэлектроники – А.И. Смирнов. З.И. Кирьяшкина являлась научным руководителем отдела. Впоследствии заведующими отдела № 3 были Н.В. Жимская и В.А. Иванченко.
Научная тематика отдела № 3 была весьма разнообразной и получила всесоюзное признание. Основными направлениями исследований являлись:
- исследование взаимодействия СВЧ излучения с полупроводниками и разработка устройств вплоть до субмиллиметрового диапазона длин волн (руководитель – проф. Б.Н. Климов);
- исследование фотоэлектрических явлений в полупроводниках и структурах (руководитель – проф. Роках А.Г.);
- исследования в области оптоэлектроники (руководитель – проф. Названов В.Ф.);
- исследование распространения излучения в волноведущих системах и разработка методов контроля параметров материалов (руководитель – проф. Усанов Д.А.);
- исследования в области микроэлектроники и создание методов контроля параметров материалов и структур, в том числе и в ходе технологических процессов (руководитель – проф. Биленко Д.И.);
- исследование взаимодействия излучения с потенциально неоднородными структурами (руководитель – г.н.с. Иванченко В.А.);
- исследование поверхностных свойств полупроводников (руководитель – проф. Свердлова А.М.);
- разработка приемных устройств ИК диапазона (руководитель – с.н.с. Жимская Н.В.)
Исследования по многим указанным направлениям продолжаются и в настоящее время.
