Top.Mail.Ru
Skip to main content Skip to search

Вы здесь

2023/24 уч.г. 2 сем., часть 4

Университет

  • пн
  • вт
  • ср
  • чт
  • пт
  • сб
ПонедельникВторникСредаЧетвергПятницаСуббота
08:20
09:50
10:00
11:35
чис.
пр.
8 корп. ауд. 322
4гр. (4/до)
знам.
лек.
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
8 корп. ауд. 322
4,4гр. (4/до)
12:05
13:40
пр.
Инженерная графика с элементами САПР
5 корп. ауд. 5
4гр. (4/до)
чис.
пр.
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
8 корп. ауд. 322
4,4гр. (4/до)
знам.
пр.
Физико-химические основы технологии электроники и наноэлектр
8 корп. ауд. 322
4,4гр. (4/до)
13:50
15:25
лаб.
Инженерная графика с элементами САПР
5 корп. ауд. 5
4гр. (4/до)
15:35
17:10
17:20
18:40
чис.
лек.
Поверхностные явления в полупроводниках
5 корп. 5 ауд.
4гр. (4/до)
знам.
пр.
Поверхностные явления в полупроводниках
5 корп. 5 ауд.
4гр. (4/до)
18:45
20:05
20:10
21:30
   31 мая  2024г. 14:00 Дифференцированный зачет: Научно-исследовательская работа, 3 этап
Группа: 2252(Институт физики/до)
Место проведения: 8 корп.322 ауд.
  15:00 Дифференцированный зачет: Преддипломная практика
Группа: 2252(Институт физики/до)
Место проведения: 8 корп.322 ауд.