2021/22 уч.г. 2 сем., часть 2
Университет
- пн
- вт
- ср
- чт
- пт
- сб
| Понедельник | Вторник | Среда | Четверг | Пятница | Суббота | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 08:20 09:50 | лек. Физика и химия границы раздела фаз коллоидных систем д/о 4гр. (4/до) | |||||
| 10:00 11:35 | ||||||
| 12:05 13:40 | чис. пр. Технология материалов и структур электроники д/о 4гр. (4/до) | |||||
| 13:50 15:25 | чис. пр. Основы научно-технического творчества д/о 4гр. (4/до) | |||||
| 15:35 17:10 | чис. пр. Физико-химические основы технологии электроники и наноэлект. д/о 4,4гр. (4/до) знам. лек. Физико-химические основы технологии электроники и наноэлект. д/о 4,4гр. (4/до) | |||||
| 17:20 18:40 | ||||||
| 18:45 20:05 | ||||||
| 20:10 21:30 |
| 01 декабря 2021г. | 12:00 | Зачет: | Физико-химические основы технологии электроники и наноэлект. |
| Группа: | 4052(Институт физики/до) | ||
| Место проведения: | 8к322 | ||
| 03 декабря 2021г. | 10:00 | Зачет: | Физика и химия границы раздела фаз коллоидных систем |
| Группа: | 4052(Институт физики/до) | ||
| Место проведения: | 8к320 | ||
| 07 декабря 2021г. | 12:00 | Зачет: | Технология материалов и структур электроники |
| Группа: | 4052(Институт физики/до) | ||
| Место проведения: | 8к322 |
