Тяжлов
Виталий
Семёнович
Тяжлов
Виталий
Семёнович
Доцент
Образование:
Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского, 1983 г., Полупроводники и диэлектрики / инженер-физик
Диссертации и учёные степени:
Кандидат физико-математических наук (01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»), «Особенности нелинейного поведения арсенидгаллиевого полевого транзистора с барьером Шотки, работающего в режиме усиления», 1997 г.
Общий стаж:
41 год
Стаж по специальности:
41 год
Работа в университете:
Доцент, Кафедра физики твёрдого тела, с 2003 по 2012
Доцент, Базовая кафедра твердотельной электроники СВЧ, с 2012 по 2016
Доцент, Кафедра твердотельной электроники СВЧ на базе АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», с 2016 по н.в.
Трудовая биография:
В 1983 г. окончил с отличием физический факультет СГУ и поступил инженером в НИИ «Волна». В 1983-1992 гг. работал младшим научным сотрудником, научным сотрудником, старшим научным сотрудником НИИ «Волна», в 1992-1997 гг.- начальником лаборатории, начальником отдела в НПП «Алмаз»; в 1997-2012 – начальником отдела, ведущим научным сотрудником, начальником лаборатории, начальником отдела, начальником отделения главного конструктора ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон»;
С 2012 г. по н. вр. – заместитель генерального директора по научной работе ЗАО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон».
|
|
Премии и награды:
«Почетный радист»
Биографический текст:
В 1987 г. поступил на физический факультет СГУ, который окончил в 1983 году по специальности «Полупроводники и диэлектрики». С 1983 г. работал в НИИ «Волна», НПП «Алмаз», АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон», в настоящее время – заместитель генерального директора по научной работе АО «НПЦ «Алмаз-Фазотрон». В 1997 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Преподаваемые дисциплины:
СВЧ-оптоэлектроника
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники
Научно-исследовательская работа 3
Основные научные публикации:
- Патент РФ 2 698 561 (13) C1 МПК H01P 1/16 (2006.01) СВЧ фотонный кристалл Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. 28.08.2019 Бюл. № 25 . Заявка: 2018142464 от 03.12.2018. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. СВЧ волноводные брэгговские структуры с металлическими штырями с характеристиками, управляемыми n-i-p-i-n-диодами// В сборнике: Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика Сборник трудов XIV Всероссийской конференции молодых ученых. 2019. С. 241-242.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в СВЧ волноводных брэгговских структурах с металлическими штырями// Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10. С. 1606-1610.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Волноводный фотонный кристалл на основе штыревой системы с электрически управляемыми характеристиками// В сборнике: Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами. Материалы пятой Всероссийской научной школы-семинара, Под редакцией профессора Д.А. Усанова. Саратов: изд-во Саратовский источник, 2018. 152 c. С. 20-22.
- Патент РФ 2 628 993 C1 МПК H03B 19/14 УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. 23.08.2017 Бюл. № 24. Заявка: 2016129458 от 19.07.2016 Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т.22. - №3. - С. 285-291.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель высокой кратности с СВЧ-ключом// Материалы XVI Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов". 22-24 ноября 2016 г. Самара 2016. Казань: Изд-во ООО "16ПРИНТ", 2016. С. 113-114 (272 с.) ISBN 978-5-9907911-3-8
- Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле. Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып.10. С.106-110.
- Патент РФ 2 587 405 C2 МПК H01P 1/00 НИЗКОРАЗМЕРНЫЙ СВЧ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский, В.С. Тяжлов, А.В. Байкин. Бюл. 17. Опубл. 20.06.2016. Заявка: 2014117864/08 от 05.05.2014. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Патент на изобретение № 2546578Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка. Авторы: Усанов Д. А.,Посадский В. Н., Скрипаль А. В., Тяжлов В. С.,Жулидов Е. В. Заявка 2013137542/08 от 09.08.2013. Опубликовано 10.04.2015 г.
- Д. А. Усанов, С. А. Никитов, А. В. Скрипаль,В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин Низкоразмерные фотонные кристаллы СВЧ-диапазона. Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро – и наноструктурами, материалами и биообъектами. Материалы Всерос. Научной школы – семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2014, 224 с., ISBN 978-5-91879-422-7 С. 16-19.
- Низкоразмерные волноводные СВЧ-фотонные кристаллы. Академик Ю. В. Гуляев, член-корреспондент РАН С. А. Никитов, Д.А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Доклады академии наук, 2014, том 458, № 4, С. 406-409. УДК 621.372.2DOI: 10.7868/S086956521428010Х.
- Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, Д. В. Григорьев. СВЧ- умножители высокой кратности. Известия ВУЗов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4.С.48-50.
- В. Б. Стеркин, В. С. Тяжлов. GaAs СВЧ – усилители бегущей волны. Обзоры по электронной технике. Серия 1. Электроника СВЧ. Выпуск 4 (1331). 1988 г.
- Авторское свидетельство №1415424. «Способ настройки усилителя мощности». Усанов Д. А., Безменов А. А. и Тяжлов В. С.
- 8 апреля 1988 г. Заявка №409634624-09 от 5 августа 1986 г. НОЗF 3/60.
- Д. А. Усанов, В. С. Тяжлов, А. В. Скрипаль. Оптическое управление характеристиками усилителя на арсенид-галлиевом полевом транзисторе с барьером Шотки. Известия ВУЗов. Радиоэлектроника. Том 35, №8, 1992г., с. 62-65.
- D. A. Usanov, A. V. Skripal, V.S. Tyajlov, A.V. Vasilyeva.Ynvestigation of Ynfluence of Optical Radiation on the Amplifier ́s Characteristiks for FET on the GaAs. 10th Ynternational microwave Conference MIKON-94, Ksiaz Castle – Poland, vol. 1, pp. 156-159.
- A. V. Skripal, ,D. A. Usanov, V.S. Tyajlov, A.V. Vasilyeva. Subharmonic Generation in GaAs Amplifier. XI International Microwave Conference MIKON-96, Warsaw, Poland, may 27-30, 1996. Counference proceedings. Volume 2, p.p. 450-453. (Telecommunications Researck Institute
- А. В. Скрипаль, Д. А. Усанов, В. С. Тяжлов, А. В. Васильева. Оптическое управление характеристиками усилителя на GaAs ПТШ в режиме большого сигнала. Радиотехника и электроника. 1996. Т41. №11, с. 1390-1397.
- А. В. Скрипаль, Д. А. Усанов, А. В. Васильева, В. С. Тяжлов. Моделирование СВЧ- усилителей на GaAs ПТШ, работающих в нелинейном режиме. Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 1998. Т. 1, вып. 2-3. С. 30-32.
- Сверхширокополосный транзисторный усилитель со специальной формой амплитудно-частотной характеристики, предназначенный для работы в составе мощного вакуумно-твердотельного модуля. Тяжлов В. С., Бегинин Д. В., Бутерин А. В.
- 13-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» Материалы конференции. 8-12 сентября 2003 г. Севастополь, Крым, Украина, с. 153-155. Севастополь – Москва, 2003.
- Сверхширокополосный преобразователь частоты с управляемой формой амплитудно- частотной характеристики. Семенов Э. А., Посадский В. Н., Тяжлов В. С., Кузьмин Ю. А.,Ковальчук А. Г., 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Материалы конференции. 11-15 сентября 2006 г.Севастополь, Крым, Украина. В двух томах.Том 1, с. 111-112. Севастополь, Вебер, 2004.
Повышение квалификации:
Подготовка и повышение квалификации должностных лиц и специалистов органов управления ГО и РСЧС, Частное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования "Академик", 2018 г.
Использование электронной информационно-образовательной среды СГУ в образовательном процессе, ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г.Чернышевского", 2016 г.
