Skip to main content Skip to search

You are here

Скрипаль
Александр
Владимирович

Профессор
Education: 
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 1976 г., Полупроводники и диэлектрики / физика
Thesis and academic degrees: 
Кандидат физико-математических наук, Особенности модуляционных характеристик полупроводниковых СВЧ-генераторов, 1988 г.
Доктор физико-математических наук, Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ, 1998 г.
Academic title: 
Доцент по кафедре физики твёрдого тела, 1997 г.
Профессор по кафедре физики твёрдого тела
2000
Общий стаж: 
45 лет
Стаж по специальности: 
45 лет
Work experience: 
Заведующий кафедрой, Кафедра физики твердого тела, с 2019 по н.в.
Профессор, Кафедра физики твердого тела, 1998 to 2019
Доцент, Кафедра физики твердого тела, 1989 to 1998
Старший преподаватель, Кафедра физики твердого тела, 1984 to 1989
Младший научный сотрудник, НИИ механики и физики, 1983 to 1984
Other Administrative Positions: 

С 1980 г. по 1982 г. – ассистент кафедры «Физика» Ульяновского политехнического института (г. Ульяновск).

Biography: 

Родился в 1954 году в c. Уч-Арал Алакульского района Талды-Курганской области, республика Казахстан.

В 1976 году с отличием окончил физический факультет Саратовского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского по специальности «Физика полупроводников и диэлектриков». В 1976 году поступил в аспирантуру Саратовского госуниверситета при кафедре физики твердого тела.

С 1980 по 1982 год — ассистент кафедры «Физика» Ульяновского политехнического института (г. Ульяновск).

С 1983 года — младший научный сотрудник НИИ механики и физики при Саратовском госуниверситете, с 1984 года — старший преподаватель кафедры физики твердого тела Саратовского университета.

В 1988 году защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук «Особенности модуляционных характеристик полупроводниковых СВЧ-генераторов». С 1989 года — доцент кафедры физики твердого тела Саратовского госуниверситета. В 1997 году присвоено ученое звание доцента по кафедре физики твердого тела.

В мае 1998 года защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук «Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ». В декабре 1998 года принят на должность профессора кафедры физики твердого тела СГУ. В марте 1999 года избран по конкурсу на должность профессора кафедры физики твердого тела СГУ. В 2000 году присвоено ученое звание профессора по кафедре физики твердого тела.

Научный руководитель кандидатской и научный консультант докторской диссертаций — «Заслуженный деятель науки РФ», «Почетный работник высшего профессионального образования РФ», академик РАЕН, академик и председатель Саратовского (Нижне-Волжского) отделения МАН ВШ, доктор физ. мат. наук, профессор Усанов Дмитрий Александрович.

Скрипаль А.В. читает лекционные курсы на факультете нано- и биомедицинских технологий, физическом факультете, факультете нелинейных процессов, юридическом факультете СГУ: Физика полупроводников. Физика твердого тела. Электронные свойства кристаллов. Материалы электронной техники. Физика квантово-размерных структур. Физика конденсированного состояния. Элементы и приборы наноэлектроники. Физические основы наноэлектроники. Физика твердого тела и твердотельная электроника. Физические принципы работы твердотельных СВЧ-приборов. СВЧ-оптоэлектроника. Проблемы современной физики полупроводников и диэлектриков.

Профессор Скрипаль А.В. — высококвалифицированный педагог, осуществляющий педагогическую деятельность с применением новейших образовательных стандартов и методик. Автор более 50 рабочих бакалаврских и магистерских программ по направлениям 210600 «Нанотехнология», 210100 «Электроника и микроэлектроника» и «Электроника и наноэлектроника», 010700 «Физика», рабочих программ по специальностям 210601 «Нанотехнология в электронике», 010803 «Микроэлектроника и полупроводниковые приборы», 210104 «Микроэлектроника и твердотельная электроника», более 20 рабочих бакалаврских, магистерских и аспирантских программ по направлениям 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», 11.03.04, 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 03.03.02 «Физика», 03.03.03 «Радиофизика», 12.03.04 «Биотехнические системы и технологии», 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств».

Скрипаль А.В. внёс большой вклад в воспитание и подготовку квалифицированных научных и научно-педагогических кадров. Под его руководством защищено 14 кандидатских диссертаций, опубликовано более 400 научных работ.

Скрипаль А.В. — известный в нашей стране и за рубежом ученый, активно работающий на стыке твердотельной, микро- и наноэлектроники, радиофизики, СВЧ-техники и медико-биологической диагностики. Результатом исследований Скрипаля А.В. явилась разработка новых радиоволновых способов измерений параметров слоистых наноструктур и нанокомпозитных материалов, СВЧ-измерителя эрозионностойкого покрытия на теплозащитном слое космического корабля многоразового использования «Буран».

В настоящее время Скрипаль А.В. развивает новое научное направление по созданию средств контроля метаматериалов с использованием методов ближнеполевой СВЧ-микроскопии.

Работы Скрипаля А.В. в области создания высокотехнологичных инноваций получили мировое признание.

В 2009 г. награждён Гран-при на 5-й Международной ярмарке изобретений SIIF-2009 (г. Сеул, Республика Корея) за изобретение: Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма: микроволновое дистанционное зондирование дыхательных движений и сердцебиений человека (патент на изобретение РФ №2295911 «Способ дистанционного контроля физиологических параметров жизнедеятельности организма»).

В 2011 году награждён Гран-при «Agro Arca» на 4-й Международной Ярмарке инноваций, экологической идеи и технологии в сельском хозяйстве и пищевой промышленности Agro Arca 2011 (г. Слатина, Хорватия) за изобретение: Комплекс для тестирования водной среды (патент на изобретение РФ №2290629 «Автодинный измеритель качества воды», патент №2155335 «Способ определения влияния вредного воздействия на биообъекты» и др.).

Скрипаль А.В. — автор 43 патентов и авторских свидетельств, 7 свидетельств о государственной регистрации программ для ЭВМ,  125 научных статей, опубликованных в центральных отечественных и зарубежных журналах. Результаты его работ обобщены в 9 монографиях, 15 учебных пособиях.

За период с 2002 по 2012 год за разработку новых типов приборов, созданных на основе изобретений, Скрипаль А.В. награжден золотыми (23), серебряными (13) и бронзовыми (4) медалями международных конкурсов в Женеве, Нюрнберге, Париже, Брюсселе, Лионе, Москве, Сучжоу, Сеуле, Куньшане.

В 2008 году награждён золотыми медалями Международной федерации Ассоциаций изобретателей (International Federation of Inventors’ Associations (IFIA)) за победу в финале Кубка Европы (Europe and America Semifinal, IENA Nuremberg, 1-4 ноября 2007 года) и финале Кубка мира (The 6th International Exhibition of Inventions, IFIA General Assembly, г. Сучжоу, КНР, 17-20 октября 2008 года) Всемирного конкурса на лучшее изобретение в области компьютерных технологий (World Cup of Computer Implemented Inventions (World Cup of CIIs) — IFIA Project, 2007-2008, sponsored by Microsoft): Компьютерные видеотехнологии для диагностики и лечения нистагма глаз внешним световым воздействием переменной амплитуды и частоты (патент на изобретение РФ №2193337 «Способ исследования движения глазного яблока», патент №2221475 «Способ исследования движения глаз по бинокулярному изображению и устройство для его реализации», патент №2288676 «Способ лечения нистагма глаз» и др.).

Научная и педагогическая работа Скрипаля А.В. получила общественное признание.

В 2006 году за добросовестный труд и высокий профессионализм в работе награждён Почётной грамотой Министерства промышленности и энергетики Саратовской области.

В 2007 году за многолетнюю плодотворную научную деятельность и большой личный вклад в развитие промышленности области Скрипаль А.В. награждён Почётной грамотой Губернатора Саратовской области.

В 2008 г. за достижения в области создания инноваций Скрипаль А.В. награжден Почетной наградой Бельгии — орденом «Офицера».

В 2009 году за большой вклад в развитие теории и практики правовой охраны объектов интеллектуальной собственности, за заслуги в развитии науки, разработку и внедрение новых типов приборов, созданных на основе изобретений Скрипаль А.В. награжден Почетным знаком «Во благо России» Федеральной службы по интеллектуальной собственности, патентам и товарным знакам.

В 2011 году за заслуги перед космонавтикой награждён Медалью имени Первого Космонавта Земли Ю.А. Гагарина(Федерация космонавтики России).

В 2012 году за высокий профессионализм в работе, достигнутые результаты в научно-исследовательской деятельности и в связи с Днем российской науки награждён Почётной грамотой Министерства промышленности и энергетики Саратовской области.

В 2014 году за заслуги в области образования присвоено почетное звание «Почетный работник высшего профессионального образования Российской Федерации».

В 2015 году Губернатор Саратовской области в Благодарственном письме объявил благодарность за многолетний добросовестный труд и высокий профессионализм в работе.

В 2019 году за высокий профессионализм в работе, достигнутые результаты в научно-исследовательской деятельности и в связи с 110-летием образования Саратовского государственного университета награждён Почётной грамотой Министерства промышленности и энергетики Саратовской области.

Скрипаль А.В. — заместитель председателя совета по защите докторских и кандидатских диссертаций, член ученого Совета факультета нано- и биомедицинских технологий Саратовского государственного университета, член Международного института инженеров электриков и электроников (IEEE), член редколлегии журнала «Известия Саратовского университета. Новая серия. Физика». Награжден знаком «Изобретатель СССР».

Прошел повышение квалификации – «Психолого-педагогические риски реализации инновационных образовательных технологий в системе уровневого профессионального образования», Институт дополнительного профессионального образования ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2016 г.; удостоверение № 180000129639.

Преподаваемые дисциплины: 
Введение в специальность (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Материалы электронной техники (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Физика квантово-размерных структур (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»; 11.06.01 «Электроника
радиотехника и системы связи»)
Основы физики твердого тела и полупроводниковая электроника (03.03.02 «Физика»)
Физика конденсированного состояния (03.03.02 «Физика»)
Основы физики твёрдого тела (03.03.02 «Физика»)
Зондовые методы исследования наноструктур и нанокомпозитов (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Научный семинар (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Биомедицинские нанотехнологии (03.03.02 «Физика»)
Актуальные проблемы современной электроники и наноэлектроники (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Элементы и приборы наноэлектроники (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
СВЧ-оптоэлектроника (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Современные методы исследования нано- и микроструктур (11.06.01 «Электроника
радиотехника и систе
Main Publications: 
  1. Skripal A. V., Ponomarev D. V. and Komarov A. A. Tamm Resonances in the Structure 1-D Microwave Photonic Crystal/Conducting Nanometer Layer// in IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 2020. Vol. 68. Issue: 12. P. 5115-5122. Volume: 68, Issue: 12, Dec. 2020. doi: 10.1109/TMTT.2020.3021412.
  2. Одномерные СВЧ фотонные кристаллы. Новые области применения / Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль Ал.В., Пономарев Д.В. 2-е изд., доп. и перераб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2020. - 236 с.  ISBN 978-5-292-04634-9
  3. Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Рузанов О. М., Тимофеев И. О. Резонансные особенности в разрешенных и запрещенных зонах сверхвысокочастотных коаксиальных брэгговских структур с периодически чередующимся диэлектрическим заполнением // Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. 2020. Т. 20, вып. 1. С. 29-41. DOI: https://doi. org/10.18500/1817-3020-2020-20-1-29-41
  4. Skripal A. V., Ponomarev D. V., Ruzanov O. M., Timofeev I. O. Resonance Features in the Allowed and Forbidden Bands of Microwave Coaxial Bragg Structures with Periodically Alternating Dielectric Filling. Izv. Saratov Univ. (N. S.), Ser. Physics, 2020, vol. 20, iss. 1, pp. 29-41 (in Russian). DOI: https://doi.org/10.18500/1817-3020-2020-20-1-29-41
  5. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Рузанов О.М., Тимофеев И.О. Использование СВЧ коаксиальной брэгговской структуры для измерения параметров диэлектриков// Радиотехника и электроника, 2020, Том 65 номер 5 стр. 495-503   DOI: 10.31857/S0033849420040099
  6. Никитов С.А., Скрипаль А. В., Пономарев Д. В. Брэгговская элементная база электроники микроволнового и терагерцового диапазонов// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2019. Том: 22. № 4-1.  С. 58-60. DOI 10.18469/1810-3189.2019.22.4.58-60
  7. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Рузанов О.М., Тимофеев И.О. Измерение параметров диэлектриков с использованием СВЧ коаксиальной брэгговской структуры// Радиотехника. 2019. Т. 83. № 7 (10). С. 6-12.
  8. Usanov D.A., Nikitov S.A., Skripal A.V., Ponomarev D.V. One-Dimensional Microwave Photonic Crystals: New Applications. Taylor Francis Group. Boca Raton London New York CRC Press, 2019. 154 p.
  9. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г. , Пономарев Д.В. Волноводные фильтры заграждения на основе свехвысокочастотных фотонных кристаллов с характеристиками, управляемыми n–i–p–i–n-диодами // Радиотехника и электроника. 2019. Том. 64,  № 4. С. 375–386.
  10. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в СВЧ волноводных брэгговских структурах с металлическими штырями// Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10. С. 1606–1610.
  11. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Рузанов О.М., Тимофеев И.О. Измерение параметров диэлектриков с использованием СВЧ коаксиальной брэгговской структуры// Радиотехника. 2019. Т. 83. № 7 (10). С. 6-12.
  12. Dmitry Usanov and Alexander Skripal Chapter 2: Photonic Crystal Waveguides http://dx.doi.org/10.5772/intechopen.76797. P. 23–48 in Book EMERGING WAVEGUIDE TECHNOLOGY ISBN 978-1-78923-493-0 Book edited by: Dr. Kok Yeow You. 372 p. Published: August 1st 2018 DOI: 10.5772/intechopen.71142 ISBN: 978-1-78923-493-0 Print ISBN: 978-1-78923-492-3 Copyright year: 2018/ INTECHOPEN LIMITED, Registered in England and Wales
  13. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г., Рязанов Д.С., Пономарев Д.В. Резонансные особенности волноводных брэгговских структур сверхвысокочастотного диапазона// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2018. Том: 21. № 3. С. 18–24.
  14. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Одномерные СВЧ фотонные кристаллы. Новые области применения// М.: ФИЗМАТЛИТ, 2018. — 184 с. — ISBN 978-5-9221-1770-8.
  15. Биорадиолокация (2-е издание). Под. ред. А.С. Бугаева, С.И. Ивашова. Москва: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана. 2018. 396 с. (глава Постельга А.Э., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Усанов Д.А.)
  16. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Рязанов Д.С. Таммовские состояния в брэгговских гетероструктурах на волноводно-щелевых линиях// Журнал технической физики. 2018. Т. 88, вып. 7. С. 1046–1049.
  17. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. Согласованная нагрузка на брэгговских структурах терагерцевого диапазона частот// Письма в Журнал технической физики. 2018. Т. 44, вып. 5. С. 63–68.
  18. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г. Волноводные фотонные кристаллы на резонансных диафрагмах с управляемыми n–i–p–i–n-диодами характеристиками// Радиотехника и электроника. 2018.  № 1. С. 65–71.
  19. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г., Фролов А.П. СВЧ фотонные кристаллы с электрически управляемыми характеристиками// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2017. Том: 20. № 3. С. 43–51.
  20. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский и др. // Изв. вузов. Электроника. – 2017. – Т.22. – №3. – С. 285–291.
  21. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.А. Характеристики дефектной моды одномерного СВЧ волноводного фотонного кристалла с металлическим включением в элементе, нарушающем его периодичность// Журнал технической физики. 2017. Т. 87, вып. 6. С. 884–887.
  22. Usanov D. A., Meshchanov V. P., Skripal’ A. V., Popova N. F., Ponomarev D. V., and Merdanov M. K. Centimeter- and Millimeter-Wavelength Matched Loads Based on Microwave Photonic Crystals// Technical Physics, 2017, Vol. 62, No. 2, pp. 243–247. ISSN 1063-7842, © Pleiades Publishing, Ltd., 2017.
  23. Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В., Мерданов М.К. Согласованные нагрузки сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин волн на СВЧ фотонных кристаллах// Журнал технической физики. 2017. Т. 87, вып. 2. С. 216–220.
  24. Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Зотов Р.В., Коротин Б.Н., Пономарев Д.В. Влияние внешних электромагнитных полей СВЧ-диапазона на характеристики RC-генератора прямоугольных сигналов// Изв. вузов. Электроника. 2017. Т. 22. №1. С. 79–86.
  25. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Одномерные СВЧ фотонные кристаллы. Новые области применения// Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 2016. 148 с. ISBN 978-5-292-04402-4
  26. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Пономарев Д.В., Евтеев С.Г. СВЧ фотонные кристаллы - новый тип функциональных структур, применяемых в радиоэлектронике// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2016. Т. 19. №3. С. 17–24.
  27. . A. Usanov, S. A. Nikitov, A. V. Skripal, D. V. Ponomarev, and E. V. Latysheva// Measurements of Electrophysical Characteristics of Semiconductor Structures with the Use of Microwave Photonic Crystals// Semiconductors. 2016. Vol. 50, No. 13, pp. 1759–1763. ISSN 1063-7826
  28. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. СВЧ фотонные кристаллы–новая разновидность периодических структур в радиоэлектронике// Саратов, Изд-во Сарат. ун-та, 2016. 68 с. ISBN 978-5-292-04403-1 (Учебное пособие СГУ)
  29. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Одномерные СВЧ фотонные кристаллы. Новые области применения// Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2016. 144 с. ISBN 978-5-292-04402-4 (Монография)
  30. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Использование волноводно-диэлектрического резонанса для измерения параметров структуры нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Радиотехника. 2016. № 7. С. 10–16.
  31. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В. Измерения электрофизических характеристик полупроводниковых структур с использованием СВЧ фотонных кристаллов // Известия вузов. Электроника. 2016. №2. С. 187–194.
  32. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В., Латышева Е.В., Феклистов В.Б. Волноводно-диэлектрический резонанс в системе с нанометровым металлическим слоем на диэлектрической подложке// Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. 2016. Т. 16. Вып. 2. С. 86–90. ISSN 1814-733X, ISSN 1817- 3020.
  33. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Рязанов Д.С. Брэгговские сверхвысокочастотные структуры на волноводно-щелевых линиях// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 4. С. 321–326.
  34. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле// Письма в Журнал технической физики. 2016. Т. 42, вып. 10. С. 106–110.
  35. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Горлицкий В.О. Волноводный фотонный кристалл, выполненный в виде диэлектрических матриц с воздушными включениями// Журнал технической физики. 2016. Т. 86, вып. 2. С. 65–70.
  36. Усанов Д. А., Никитов С. А., Скрипаль А. В., Пономарев Д. В., Латышева Е. В. Многопараметровые измерения эпитаксиальных полупроводниковых структур с использованием одномерных сверхвысокочастотных фотонных кристаллов// Радиотехника и электроника. 2016, том. 61. № 1. С. 45–53.
  37. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Мерданов М.К., Евтеев С.Г. Волноводные фотонные структуры на резонансных диафрагмах// Радиотехника. 2015. № 10. С. 108–113.
  38. D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov Charge-Carrier Transport Mechanisms in Composites Containing Carbon-Nanotube Inclusions// Semiconductors, 2015, Vol. 49, No. 13, pp. 1689–1694.
  39. Усанов Д.А., Мещанов В.П., Скрипаль А.В., Попова Н.Ф., Пономарев Д.В. Широкополосные согласованные нагрузки на фотонных кристаллах// Электроника и микроэлектроника СВЧ. 2015. Т. 2. № 1. С. 147-151.
  40. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Мерданов М.К., Пономарев Д.В., Рязанов Д.С. Новые области применения СВЧ фотонных кристаллов// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2015. Т. 18. №3, часть 2. С. 6–19.
  41. Усанов Д. А., Мещанов В. П., Скрипаль А. В., Попова Н. Ф., Пономарев Д. В. Широкополосные согласованные волноводные нагрузки на СВЧ фотонных кристаллах// Радиотехника. 2015. №7. С. 58–63.
  42. Усанов Д.А., Мерданов М.К., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. СВЧ фотонные кристаллы. Новые сферы применения// Известия Саратовского ун-та. Новая серия. Серия 1. Физика. 2015. Т. 15. Вып. 1. С. 57–73. ISSN 1814-733X, ISSN 1817- 3020.
  43. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Яфаров Р.К. Получение и диагностирование планарных сотовых углеродных структур// Письма в Журнал технической физики. 2015. Т. 41, вып. 13. С. 95–101.
  44. Д.А. Усанов, В.Н. Посадский, А.В. Скрипаль, В.С. Тяжлов, Д.В. Григорьев СВЧ-умножители высокой кратности// Изв. вузов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4. С. 48–50.
  45. Усанов Д.А., Никитов С.А., Скрипаль А.В., Фролов А.П. Волноводное устройство для управления выходной мощностью генератора на диоде Ганна// Радиотехника. .2014. № 10. С. 78–81.
  46. Yu.V. Gulyaev, S.A. Nikitov, D.A. Usanov, A.V. Skripal, V.N. Posadskii, V.S. Tiazhlov, and A.V. Baykin Low_Dimensional Waveguide Microwave Photonic Crystals// Doklady Physics, 2014, Vol. 59, No. 10, pp. 437–440
  47. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А. В. Низкоразмерные волноводные СВЧ фотонные кристаллы// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 4, Январь 2014. С. 406–409.
  48. D.A. Usanov, S.A. Nikitov, A.V. Skripal’, A.P. Frolov and V.E. Orlov Waveguides Containing Frame Elements with Electrically Controlled Characteristics of Permitted and Forbidden Bands//Journal of Communications Technology and Electronics, 2014, Vol. 59, No. 11, pp. 1101–1106.
  49. Усанов Д.А., С. А. Никитов, А. В. Скрипаль, А.П. Фролов, В.Е. Орлов Волноводы, содержащие рамочные элементы с электрически управляемыми характеристиками разрешенных и запрещенных зон// Радиотехника и электроника. 2014, том. 59. № 11. С. 1079–1084.
  50. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Влияние внешних воздействий на сверхвысокочастотные характеристики композитных материалов с включениями из углеродных нанотрубок// Нано- и микросистемная техника. 2014. № 3. С. 19–23.
  51. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Механизмы транспорта носителей зарядов в композите с включениями в виде углеродных нанотрубок // Известия вузов. Электроника. 2014. №3(107). С. 7–15.
  52. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Влияние отжига на СВЧ-характеристики углеродных нанотрубок и нанокомпозитных материалов, созданных на их основе // Журнал технической физики. 2014. Т. 84, вып. 6. С. 86–91.
  53. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Измерение параметров полупроводников, микро- и наноструктур на СВЧ// Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2007. – 140 с. (электронная публикация).
  54. Усанов Д.А , Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В. Компьютерное моделирование наноструктур: Учеб. пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий// Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2013. – 100 с. (электронная публикация).
  55. Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Фролов А.П. Ближнеполевой сверхвысокочастотный микроскоп на основе фотонного кристалла с резонатором и регулируемым элементом связи в качестве зонда// Радиотехника и электроника. 2013, том. 58. № 12. С. 1071–1078.
  56. D. A. Usanov, S. A. Nikitov, A. V. Skripal’, D. V. Ponomarev. Resonance Features of the Allowed and Forbidden Bands of the Microwave Photonic Crystal with Periodicity Defects// Journal of Communications Technology and Electronics, 2013, Vol. 58, No. 11, pp. 1035–1040.
  57. Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Резонансные особенности в разрешенных и запрещенных зонах сверхвысокочастотного фотонного кристалла с нарушением периодичности// Радиотехника и электроника. 2013, том. 58. № 11. С. 1071–1076.
  58. Никитов С.А., Гуляев Ю.В., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Пономарев Д.В. Определение проводимости и толщины полупроводниковых пластин и нанометровых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 448, № 1, Январь 2013. С. 35-37.
  59. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Управление СВЧ-характеристиками композитных материалов с наполнителем из углеродных нанотрубок воздействием ультрафиолетового излучения// Журнал технической физики. 2013. Т. 83, вып. 3. С. 91–95.
  60. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Лабораторный практикум «Измерение параметров полу-проводников, микро- и наноструктур на СВЧ» (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 91 с.: ил
  61. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Феклистов В.Б., Вениг С.Б. Измерение параметров полупроводников, микро- и наност-руктур на СВЧ (учебное пособие)– Саратов: Электронное издание Сарат. ун-та, 2012. – 55 с.: ил.
  62. Усанов Д.А., Никитов С.А. Скрипаль А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Измерение параметров твердых и жидких диэлектриков на сверхвысоких частотах с использованием микрополосковых фотонных структур// Радиотехника и электроника. 2012, том. 57. № 2. С. 230–236.
  63. Гуляев Ю.В., Никитов С.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Постельга А.Э., Пономарев Д.В. Определение параметров тонких полупроводниковых слоев с использованием одномерных СВЧ фотонных кристаллов// Доклады Академии Наук. Т. 443, № 5, Апрель 2012,. С. 564-566.
  64. D.A. Usanov, A.V. Skripal Near-Field Microwave Microscopy. Capabilities. Application areas // Proc. of 19th International Conference on Microwaves, Radar and Wireless Communications MIKON-2012. Warsaw, Poland, May 21-23, 2012. – V.1. P. 163–168.
  65. D. A. Usanov, Al. V. Skripal, An. V. Skripal, A. V. Abramov, A. S. Bogolyubov, and Ali Bakouei. Measurement of the Parameters of Nanometer Films by Optical and Microwave Methods// Semiconductors, 2011, Vol. 45, No. 13, pp. 74–78. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
  66. D. A. Usanov, A. V. Skripal’, and A. V. Romanov. Electrophysical Properties of Composites with Carbon Nanotubes, Fine Graphite, and Feritte Microparticles as Inclusions// Russian Microelectronics, 2011, Vol. 40, No. 7, pp. 463–468. © Pleiades Publishing, Ltd., 2011.
  67. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Коротин Б.Н., Феклистов В.Б., Пономарев Д.В., Фролов А.П. Ближнеполевая СВЧ-микроскопия нанометровых слоев металла на диэлектрических подложках// Известия вузов. Электроника. 2011. №5(91). С. 83–90.
  68. Dmitry A. Usanov, Sergey A. Nikitov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Boris N. Korotin, Vladimir B. Feklistov, Denis V. Ponomarev, Alexander P. Frolov Microwave Imaging of the Ceramic Plate Surface with the Nanometer Metal Layer by Means of the Near-Field Microscope Based on the Gunn-Diode Oscillator// Proceedings of the 41th European Microwave Conference. 9-14 October 2011. Manchester, UK. P. 210–213. 978-2-87487-022-4 © 2011 EuMA
  69. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Комплексная диэлектрическая проницаемость композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Журнал технической физики. 2011. Т. 81, вып. 1. С. 106–110.
  70. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости композитов на основе диэлектрических матриц и входящих в их состав углеродных нанотрубок// Известия вузов. Электроника. 2011. №2. С. 33–37.
  71. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Куликов М. Ю. Микрополосковый p–i–n-диодный СВЧ-выключатель// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2011. Т.54, №4. С. 51–54.
  72. Биорадиолокация / под ред. А.С. Бугаева, С.И, Ивашова, И.Я. Иммореева. Авторы: А.В. Абрамов, А.С. Боголюбов, А.Э. Постельга, Ал.В. Скрипаль, Ан.В. Скрипаль, Д.А. Усанов и др. – М. : Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2010. – 396 с.
  73. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Романов А.В., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Фотонные структуры в СВЧ-диапазоне и их применение для измерения параметров композитов с включениями из углеродных нанотрубок и жидких диэлектриков// Физика волновых процессов и радиотехнические системы. 2010. Т. 13. № 3. С. 26–34.
  74. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Романов А.В. Электрофизические свойства композитов с включениями в виде углеродных нанотрубок, частиц мелкодисперсного графита и ферритовых микрочастиц// Известия вузов. Электроника. 2010. №5. С. 45–52.
  75. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Волноводные фотонные кристаллы с характеристиками, управляемыми p–i–n-диодами// Известия вузов. Электроника. 2010. №1. С. 24–29.
  76. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Бокуи Али. Измерение параметров нанометровых пленок оптическими и радиоволновыми методами// Известия вузов. Электроника. 2010. №3. С. 44–50.
  77. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю., Пономарев Д.В. Микрополосковые фотонные кристаллы и их использование для измерения параметров жидкостей// Журнал технической физики. 2010. Т. 80, вып. 8, с. 143–148
  78. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. Частотная зависимость коэффициента отражения СВЧ-излучения от магнитной жидкости в области азотных температур// ЖТФ. 2009. Т. 79, вып. 9, с. 146–148.
  79. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Maxim Y. Kulikov, Denis V. Ponomarev. Microstrip Photonic Crystals and Their Utilization for Measurement of Liquids// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 1049–1052. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
  80. Dmitry A. Usanov, Alexander V. Skripal, Anton V. Abramov, Anton S. Bogolubov, Vladimir S. Skvortsov, Merdan K. Merdanov. Waveguide Photonic Crystals with Transmittance, Controlled by PIN-diodes// Proceedings of the 39th European Microwave Conference. 29 September - 1 October 2009, Rome, Italy. P. 213–216. 978-2-87487-011-8 © 2009 EuMA
  81. Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Абрамов А. В., Боголюбов А. С., Скворцов В. С., Мерданов М. К. Широкополосные волноводные согласованные нагрузки на основе фотонных кристаллов с нанометровыми металлическими слоями// Известия вузов. Радиоэлектроника. 2009. №1. С.73 – 80.
  82. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Куликов М.Ю. Фотонные структуры и их использование для измерения параметров материалов/ Известия вузов. Электроника. 2008. №5. С. 25–32.
  83. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Скворцов В.С., Мерданов М.К. Использование волноводных фотонных структур для измерения параметров нанометровых металлических слоев на изолирующих подложках// Известия вузов. Электроника. 2007. №6. С. 25–32.
  84. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах нанометровая металлическая пленка – диэлектрик// Письма в ЖТФ. 2007. Т. 33, вып. 2, с. 13–22.
  85. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А. Э., Райхер Ю.Л., Степанов В.И. Температурная зависимость коэффициента отражения микроволнового излучения от слоя магнитной жидкости// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 11, с. 126–129.
  86. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Методика измерения электропроводности нанометровых металлических пленок в слоистых структурах по спектрам отражения электромагнитного излучения// Известия вузов. Электроника. 2006. №6. С. 27–35.
  87. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С. Измерения толщины нанометровых слоев металла и электропроводности полупроводника в структурах металл–полупроводник по спектрам отражения и прохождения электромагнитного излучения// ЖТФ. 2006. Т. 76, вып. 5, с. 112–117.
  88. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Боголюбов А.С., Постельга А. Э. Радиоволновая интерферометрия движений тела человека, связанных с дыханием и сердцебиением// Биомедицинские технологии и радиоэлектроника. 2005. №11–12. С. 44–51.
  89. Чаплыгин Ю.А., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Семёнов А.А., Абрамов А.В., Голишников А.А. Радиоволновые и оптические измерения толщины и электропроводности металлических пленок на полупроводниковых и диэлектрических подложках // Известия вузов. Электроника. 2005. №1. С. 68–77.
  90. Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В., Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В. Автоматизированные системы научных исследований. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. 144 с.
  91. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Постельга А.Э. СВЧ-автодиный измеритель параметров вибраций // Приборы и техника эксперимента. 2004 г. №5. С. 130–134.
  92. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Вычитание сигналов в полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генератораx//Радиотехника и электроника. 2004. Т. 49, № 3. С. 373–379.
  93. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Поздняков В.А. СВЧ-метод измерения подвижности свободных носителей заряда в полупроводниковых структурах// Известия вузов. Электроника. 2004. №2. С. 76–84.
  94. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Физика полупроводниковых радиочастотных и оптических автодинов. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2003. 312 с.
  95. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В., Клецов А.А. Нелинейность частотных характеристик полевого транзистора с барьером Шотки в режиме большого сигнала// Известия вузов. Электроника. 2003. №5. С. 50–56.
  96. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Клецов А.А., Абрамов А.В., Ильин С.Н. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа лавинно-пролетных диодов в сильном СВЧ-поле// Известия вузов. Электроника. 2003. №4. С. 5–12.
  97. Usanov D.A., Skripal A.V., Abramov A.V. Optical control of semiconductor synchronized microwavе oscillators in the power suppression mode// Journal of Telecommunications and Information Technology// 2003. N 1. P. 30–35.
  98. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Орлов В.Е., Угрюмова Н.В., Посадский В.Н., Клецов А.А. Воздействие мощного микроволнового излучения на полупроводниковые диодные структуры в цепях СВЧ//Известия вузов. Радиоэлектроника. 2003 . Т. 46, №3. С.40–48.
  99. Usanov D.A.; Skripal Al.V., Skripal An.V., Kurganov A.V Interaction of Microwave Radiation with Magnetic Liquid Layer Placed in Waveguide // Journal of Magnetism and Magnetic Materials. 2002. Vol.252. P.183-185.
  100. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Абрамов А.В. Оптическое управление полупроводниковыми синхронизированными СВЧ-генераторами, работающими в схеме вычитания сигналов// Известия вузов. Электроника. 2002. №5. С. 31–39.
  101. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В. Вычислительные методы в физике твердого тела (издание второе, дополненное). Учеб. пособие – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. 136 с.
  102. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Спектр отражения СВЧ излучения от структуры магнитная жидкость - диэлектрик и определение по нему параметров магнитной жидкости// Дефектоскопия. 2002. №3. С.48–55.
  103. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Курганов А.В. Определение параметров магнитной жидкости по отражению сверхвысокочастотного излучения// ЖТФ. 2001. Т.71. №12. С.26-29.
  104. Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Скрипаль Ан.В., Абрамов А.В. Видеотехнологии автоматизированного контроля.. Саратов: Изд-во СГУ, 2001. 96 с.
  105. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Ульянов Д.В. Влияние магнитного поля на работу полупроводниковых синхронизированных СВЧ-генераторов в режиме гашения мощности// Изв. ВУЗов. Электроника. 2000. №6. С. 49–54.
  106. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В., Вениг С.Б., Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала//ФТП. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
  107. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления на вольт-амперных характеристиках диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии сверхвысокочастотного излучения высокого уровня мощности// Радиотехника и электроника. 2000. Т. 45, №12. С. 1509–1513.
  108. Скрипаль А.В., Усанов Д.А., Абрамов А.В. Нелинейная динамика генератора на туннельном диоде при воздействии внешнего СВЧ-сигнала // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. 2000. Т.8, № 4. С. 66–73.
  109. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика работы полупроводниковых приборов в схемах СВЧ. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1999 г. 376 с..
  110. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Вениг С.Б., Феклистов В.Б. Лабораторные работы по курсу «Измерение параметров полупроводников на СВЧ». Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1997 г. 140 с.
  111. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Физика полупроводников (явления переноса в структурах с туннельно-тонкими полупроводниковыми слоями). Саpатов: Изд-во Сарат. ун-та, 1996 г. 236 с.
  112. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик СВЧ-диодов на основе p–n-переходов в сильном СВЧ-поле// Изв. вузов. Электроника. 2000. №1. С.51–58.
  113. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Вениг С.Б. Орлов В. Е. Возникновение режима отрицательного дифференциального сопротивления и переключения в туннельном диоде под действием внешнего СВЧ-сигнала// Физика и техника полупроводников. 2000. Т. 34, вып. 5. С. 567-571.
  114. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В.Возникновение S-образных участков на вольтамперных характеристиках диодов с p–n-переходом под действием СВЧ-излучения// Письма в ЖТФ. 1999. Т.25, №1. С.42–45.
  115. Усанов Д.А., Скрипаль Ан.В., Скрипаль Ал.В. Формирование сталагмитоподобных структур в магнитной жидкости при включении ортогонального магнитного поля// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.70–72.
  116. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Влияние саморазогрева диодов Ганна на спектр выходного сигнала генераторов на их основе// Изв. Вузов «Прикладная нелинейная динамика». 1998. Т.6. №6. С.20–28.
  117. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в диодных структурах на основе p–n-перехода при воздействии СВЧ-излучения//ФТП. 1998. Т.32, №11. С. 1399–1402.
  118. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Бабаян А.В. Взаимосвязь сопротивления диодов Ганна в слабых электрических полях с характеристиками генераторов на их основе // Письма в ЖТФ.1998. Т.24, вып. 10. С.1–7.
  119. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного дифференциального сопротивления в p–i–n-диодных структурах при воздействии СВЧ-излучения// Известия вузов-Электроника. 1997. N3–4. С.48–52.
  120. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е., Коротин Б.Н. Управление видом вольт-амперной характеристики последовательно соединенных туннельных диодв греющим СВЧ-полем// Изв. Вузов Электроника. 1996. №1–2. С.129–133.
  121. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А., Бабаян А.В. Эффект автодинного детектирования в генераторе на диоде Ганна с низкочастотным колебательным контуром в цепи питания// Радиотехника и электроника 1996. Т.41, № 12. С. 1497–1500.
  122. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Тяжлов В.С. Васильева А.В. Оптическое управление характеристиками усилителя на GaAs ПТШ в режиме большого сигнала//Радиотехника и электроника. 1996. Т.41, № 11. С.1390–1397.
  123. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Авдеев А.А. О взаимосвязи характеристик диодов Ганна, работающих в режиме генерации, с их сопротивлением в слабых электрических полях// ЖТФ. 1995. Т.65. Вып.10. С.197-198.
  124. Усанов Д.А., Тупикин В.Д., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Использование эффекта автодинного детектиpования в полупpоводниковых СВЧ генеpатоpах для создания устpойств pадиоволнового контpоля// Дефектоскопия. 1995. N5. С.16–20.
  125. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Коротин Б.Н. Орлов В.Е. Влияние греющего СВЧ поля на вид вольтамперной характеристики туннельного диода//Письма в ЖТФ. 1993. Т.19, вып.7. С.81–85.
  126. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Орлов В.Е. Прибор для дистанционного измерения вибраций// ПТЭ, 1991, N 1 (январь-февраль) С. 242–243.
  127. Усанов Д.А., Коротин Б.Н., Орлов В.Е., Скрипаль А.В. Снятие вырождения в p- и n-областях туннельного диода внешним СВЧ-сигналом//Письма в ЖТФ, 1990, Т.16, вып.5. 1990 г. С.50–51.
  128. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в СВЧ генераторах на ЛПД// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1988. Т.31, N 10. С. 68–69.
  129. Усанов Д.А., Скрипаль А.В. Эффект невзаимности в диоде Ганна в скрещенных стационарных электрическом и магнитном полях// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1987. Т.30, N5. С.53–55.
  130. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Влияние ИК излучения на генерацию диодов Ганна// Иэв.вузов-Радиоэлектроника. 1982. Т.25, N10. С.92–93.
  131. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Горбатов С.С. Особенности низкочастотной генерации СВЧ диодов Ганна// Изв.вузов-Радиоэлектроника. 1981. Т.24, N10. С.67–69.
Further training: 
Создание инклюзивной образовательной среды в профессиональном образовании, ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2020 г.
"Психолого-педагогические риски реализации инновационных образовательных технологий в системе уровневого профессионального образования", Институт дополнительного профессионального образования ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2016 г.
Responsible for webpage content Frolov Aleksandr Pavlovich
Email: tanto_85@mail.ru
Translator Efremova Lyudmila Sergeevna
Email: lyudmila.yefremova93@mail.ru