Посадский
Виктор
Николаевич
С 1965 г. по 1997 г. работал на предприятии п/я 52 МЭП (в последствии НИЭТИН, НИИ «Волна», ГНПП «Алмаз»), г. Саратов: инженер, старший инженер, начальник лаборатории, начальник отдела, директор филиала «Микроэлектроника» ГНПП «Алмаз».
С 1997 г. по 2011г. – генеральный конструктор – первый заместитель генерального директора, с 2011г. по 2015 г. – генеральный директор, с 2015 по настоящее время – генеральный конструктор АО «Научно-производственный центр «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов.
Специалист в области разработки и производства акустоэлектронных приборов и многофункциональных блоков радиолокаторов на их основе. Окончил физический факультет Саратовского государственного университета, радиофизик (1965).
Внес большой творческий вклад в разработку и внедрение в серийное производство нового класса электронных приборов - акустоэлектронных линий задержки – калибраторов БРЛС по дальности и высоте, фильтров на поверхностных акустических волнах, а также твердотельных СВЧ усилителей, СВЧ синтезаторов частот – блоков задающих генераторов БРЛС самолетов МиГ-29, Су-27, Су-30МКИ, Су-35, МиГ-35 и некоторых других радиоэлектронных приборов.
Автор более 90 научных трудов и изобретений.
некоторые из них:
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. СВЧ волноводные брэгговские структуры с металлическими штырями с характеристиками, управляемыми n-i-p-i-n-диодами// В сборнике: Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика Сборник трудов XIV Всероссийской конференции молодых ученых. 2019. С. 241-242.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в СВЧ волноводных брэгговских структурах с металлическими штырями// Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10. С. 1606-1610.
- Патент РФ 2 698 561 (13) C1 МПК H01P 1/16 (2006.01) СВЧ фотонный кристалл Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. 28.08.2019 Бюл. № 25 . Заявка: 2018142464 от 03.12.2018. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Волноводный фотонный кристалл на основе штыревой системы с электрически управляемыми характеристиками// В сборнике: Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами. Материалы пятой Всероссийской научной школы-семинара, Под редакцией профессора Д.А. Усанова. Саратов: изд-во Саратовский источник, 2018. 152 c. С. 20-22.
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т.22. - №3. - С. 285-291.
- Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле. Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып.10. С.106-110.
- Патент РФ 2 628 993 C1 МПК H03B 19/14 УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. 23.08.2017 Бюл. № 24. Заявка: 2016129458 от 19.07.2016 Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель высокой кратности с СВЧ-ключом// Материалы XVI Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов". 22-24 ноября 2016 г. Самара 2016. Казань: Изд-во ООО "16ПРИНТ", 2016. С. 113-114 (272 с.) ISBN 978-5-9907911-3-8
- Патент РФ 2 587 405 C2 МПК H01P 1/00 НИЗКОРАЗМЕРНЫЙ СВЧ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский, В.С. Тяжлов, А.В. Байкин. Бюл. 17. Опубл. 20.06.2016. Заявка: 2014117864/08 от 05.05.2014. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
- Патент на изобретение № 2546578 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка. Авторы: Усанов Д. А., Посадский В. Н., Скрипаль А. В., Тяжлов В. С., Жулидов Е. В. Заявка 2013137542/08 от 09.08.2013. Опубликовано 10.04.2015 г.
- Д. А. Усанов, С. А. Никитов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин Низкоразмерные фотонные кристаллы СВЧ-диапазона. Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро – и наноструктурами, материалами и биообъектами. Материалы Всерос. Научной школы – семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2014, 224 с., ISBN 978-5-91879-422-7 С. 16-19.
- Низкоразмерные волноводные СВЧ-фотонные кристаллы. Академик Ю. В. Гуляев, член-корреспондент РАН С. А. Никитов, Д.А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Доклады академии наук, 2014, том 458, № 4, С. 406-409. УДК 621.372.2 DOI: 10.7868/S086956521428010Х.
- Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, Д. В. Григорьев. СВЧ- умножители высокой кратности. Известия ВУЗов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4. С.48-50.
- Сверхширокополосный преобразователь частоты с управляемой формой амплитудно- частотной характеристики. Семенов Э. А., Посадский В. Н., Тяжлов В. С., Кузьмин Ю. А., Ковальчук А. Г., 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Материалы конференции. 11-15 сентября 2006 г.Севастополь, Крым, Украина. В двух томах. Том 1, с. 111-112. Севастополь, Вебер, 2004.