Skip to main content Skip to search

Документы

положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"
Каталог
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"

Посадский
Виктор
Николаевич

Профессор
Образование: 
Саратовский государственный ордена Трудового Красного Знамени университет имени Н.Г. Чернышевского., 1965 г., радиофизика
Диссертации и учёные степени: 
Кандидат технических наук (01.04.03. Радиофизика), спецтема, 1973 г.
Общий стаж: 
59 лет
Стаж по специальности: 
59 лет
Работа в университете: 
Старший преподаватель, Кафедра физики твёрдого тела, с 1976 по 2004
Профессор, Кафедра физики твёрдого тела, с 2004 по 2010
Заведующий кафедрой
, с 2010 по н.в.
Регалии:
Член Совета по инновациям при Губернаторе Саратовской области
Член Совета ветеранов – руководителей предприятий оборонного комплекса Саратовской области
Трудовая биография: 

С 1965 г. по 1997 г. работал на предприятии п/я 52 МЭП (в последствии НИЭТИН, НИИ «Волна», ГНПП «Алмаз»), г. Саратов: инженер, старший инженер, начальник лаборатории, начальник отдела, директор филиала «Микроэлектроника» ГНПП «Алмаз».

С 1997 г. по 2011г. – генеральный конструктор – первый заместитель генерального директора, с 2011г. по 2015 г. – генеральный директор, с 2015 по настоящее время –  генеральный конструктор АО «Научно-производственный центр «Алмаз-Фазотрон», г. Саратов.

Премии и награды: 
Лауреат Государственной премии СССР в области специальной радиоэлектроники , 1987 г.
Заслуженный конструктор РФ, 2003 г.
Почетный Радист СССР, 1982 г.
Почетный работник электронной промышленности, 1993 г.
Биографический текст: 

Специалист в области разработки и производства акустоэлектронных приборов и многофункциональных блоков радиолокаторов на их основе. Окончил физический факультет Саратовского государственного университета, радиофизик (1965).

Внес большой творческий вклад в разработку и внедрение в серийное производство нового класса электронных приборов - акустоэлектронных линий задержки – калибраторов БРЛС по дальности и высоте, фильтров на поверхностных акустических волнах, а также твердотельных СВЧ усилителей, СВЧ синтезаторов частот – блоков задающих генераторов БРЛС самолетов МиГ-29, Су-27, Су-30МКИ, Су-35, МиГ-35 и некоторых других радиоэлектронных приборов.

Преподаваемые дисциплины: 
Введение в специальность
Производственная технологическая практика
Физические принципы работы твердотельных приборов СВЧ-электроники
Твердотельная СВЧ-электроник
Научно-исследовательская работа 2
Основные научные публикации: 

Автор более 90 научных трудов и изобретений.

некоторые из них:

  1. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. СВЧ волноводные брэгговские структуры с металлическими штырями с характеристиками, управляемыми n-i-p-i-n-диодами// В сборнике: Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика Сборник трудов XIV Всероссийской конференции молодых ученых. 2019. С. 241-242.
  2. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Дефектная мода в СВЧ волноводных брэгговских структурах с металлическими штырями// Журнал технической физики, 2019, том 89, вып. 10. С. 1606-1610.
  3. Патент РФ 2 698 561 (13) C1 МПК H01P 1/16 (2006.01) СВЧ фотонный кристалл Усанов Д.А., Скрипаль Ал.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. 28.08.2019 Бюл. № 25 . Заявка: 2018142464 от 03.12.2018. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
  4. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Байкин А.В. Волноводный фотонный кристалл на основе штыревой системы с электрически управляемыми характеристиками// В сборнике: Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми микро- и наноструктурами, метаматериалами и биообъектами. Материалы пятой Всероссийской научной школы-семинара, Под редакцией профессора Д.А. Усанова. Саратов: изд-во Саратовский источник, 2018. 152 c. С. 20-22.
  5. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель частоты высокой кратности с СВЧ-ключом, интегрированным в полосно-пропускающие фильтры / Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский и др. // Изв. вузов. Электроника. - 2017. - Т.22. - №3. - С. 285-291.
  6. Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Дефектная мода в низкоразмерном волноводном СВЧ фотонном кристалле. Письма в ЖТФ, 2016, том 42, вып.10. С.106-110.
  7. Патент РФ 2 628 993 C1 МПК H03B 19/14 УМНОЖИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ВЫСОКОЙ КРАТНОСТИ Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. 23.08.2017 Бюл. № 24. Заявка: 2016129458 от 19.07.2016 Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
  8. Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Посадский В.Н., Тяжлов В.С., Григорьев Д.В. Умножитель высокой кратности с СВЧ-ключом// Материалы XVI Международной научно-технической конференции "Физика и технические приложения волновых процессов". 22-24 ноября 2016 г. Самара 2016. Казань: Изд-во ООО "16ПРИНТ", 2016. С. 113-114 (272 с.) ISBN 978-5-9907911-3-8
  9. Патент РФ 2 587 405 C2 МПК H01P 1/00 НИЗКОРАЗМЕРНЫЙ СВЧ ФОТОННЫЙ КРИСТАЛЛ Д.А. Усанов, С.А. Никитов, А.В. Скрипаль, В.Н. Посадский, В.С. Тяжлов, А.В. Байкин. Бюл. 17. Опубл. 20.06.2016. Заявка: 2014117864/08 от 05.05.2014. Патентообладатель: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского".
  10. Патент на изобретение № 2546578 Широкополосная микрополосковая согласованная нагрузка. Авторы: Усанов Д. А., Посадский В. Н., Скрипаль А. В., Тяжлов В. С., Жулидов Е. В. Заявка 2013137542/08 от 09.08.2013. Опубликовано 10.04.2015 г.
  11. Д. А. Усанов, С. А. Никитов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин Низкоразмерные фотонные кристаллы СВЧ-диапазона. Взаимодействие сверхвысокочастотного, терагерцового и оптического излучения с полупроводниковыми  микро – и наноструктурами, материалами и биообъектами. Материалы Всерос. Научной школы – семинара / под ред. проф. Д. А. Усанова. – Саратов: изд-во Саратовский источник, 2014, 224 с., ISBN 978-5-91879-422-7 С. 16-19.
  12. Низкоразмерные волноводные СВЧ-фотонные кристаллы. Академик Ю. В. Гуляев, член-корреспондент РАН С. А. Никитов, Д.А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, А. В. Байкин. Доклады академии наук, 2014, том 458, № 4, С. 406-409. УДК 621.372.2 DOI: 10.7868/S086956521428010Х.
  13. Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, В. Н. Посадский, В. С. Тяжлов, Д. В. Григорьев. СВЧ- умножители высокой кратности. Известия ВУЗов России. Радиоэлектроника. 2014. Вып. 4. С.48-50.
  14. Сверхширокополосный преобразователь частоты с управляемой формой амплитудно- частотной характеристики. Семенов Э. А., Посадский В. Н., Тяжлов В. С.,  Кузьмин Ю. А., Ковальчук  А. Г., 16-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии». Материалы конференции. 11-15 сентября 2006 г.Севастополь, Крым, Украина. В двух томах. Том 1, с. 111-112. Севастополь, Вебер, 2004.

 

Повышение квалификации: 
Современные подходы к управлению персоналом в вузе, ИДПО ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского", 2019 г.
Использование электронной информационно-образовательной среды СГУ в образовательном процессе, ФГБОУ ВО "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г.Чернышевского", 2016 г.