Skip to main content Skip to search

Институт физики

Кафедра физики твёрдого тела

Структура
Учебная лаборатория по полупроводниковой технике
Кафедра физики полупроводников
УЛ по полупроводниковой электронике
История
История
История
Направления деятельности
Учебная работа
Научная работа
Разное
Достижения студентов
Публикации сотрудников
Абитуриенту
Научно-исследовательская работа
Учебно-методические пособия КФТТ
Оборудование кафедры
История кафедры физики твёрдого тела
История кафедры физики полупроводников
Новости
Новости
Методические документы
Учебно-методические пособия КФП

Документы

Положение о кафедре
Описание является именем ссылки на файл. Если поле оставить пустым, будет отображено имя прикрепленного документа.
Название файла: document_1.docx
Для того что бы было понятно его содержание, укажите в описании. К примеру  "Отчет за 2011 год"
Иконка PDF Положение о кафедре

Вы здесь

Михайлов
Александр
Иванович

Профессор
Образование: 
Средняя школа № 13 г. Саратова (ныне - ФТЛ № 1), 1970 г., Аттестат о среднем образовании, физический класс
Саратовский ордена Трудового Красного Знамени государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, 1975 г., Физик по специальности "Полупроводники и диэлектрики"
Диссертации и учёные степени: 
Кандидат технических наук, Спецтема, 1982 г.
Доктор физико-математических наук (01.04.10 «Физика полупроводников и диэлектриков»), Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах, 2000 г.
Учёное звание: 
Доцент по кафедре физики полупроводников, Высшая аттестационная комиссия при Совете Министров СССР, 1987 г.
Профессор по кафедре физики полупроводников, Федеральная служба по надзору в сфере образования и науки Российской Федерации, 2008 г.
Научные интересы: 
Твердотельная электроника и радиофизика СВЧ и КВЧ
Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах и приборах в СВЧ и КВЧ диапазонах
Квантово-размерные полупроводниковые структуры и эффекты
Математическое моделирование физических процессов
Педагогические инновации
Общий стаж: 
46 лет
Стаж по специальности: 
46 лет
Работа в университете: 
Старший лаборант, кафедра физики твердого тела, с 1978 по 1979
Ассистент, кафедра физики твердого тела, с 1979 по 1981
Ассистент, кафедра физики полупроводников, с 1981 по 1985
Доцент, кафедра физики полупроводников, с 1985 по 2001
Профессор, кафедра физики полупроводников, с 2001 по н.в.
Заведующий кафедрой, кафедра физики полупроводников, с 2010 по н.в.
Премии и награды: 
Значок «ЗА ОТЛИЧНУЮ УЧЕБУ» от ЦК ВЛКСМ и Министерства высшего и специального образования СССР, 1974 г.
ДИПЛОМ лауреата премии Саратовского обкома ВЛКСМ и областного совета НТО им. А.С. Попова за 1983 год в области науки, техники и производства, 1984 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства образования Саратовской области, 2006 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства промышленности и энергетики Саратовской области, 2009 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Министерства образования и науки Российской Федерации, 2012 г.
Звание «Ветеран труда», 2013 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА Администрации муниципального образования «Город Саратов», 2015 г.
ПОЧЕТНАЯ ГРАМОТА с вручением памятного знака в ознаменование 110-летия СГУ, 2019 г.
Нагрудный знак «Профессор СГУ», 2019 г.
Почетный работник сферы образования Российской Федерации, 2020 г.
Биографический текст: 

Родился 23 февраля 1953 г. в Саратове.

До 7 класса учился в средней школе № 10  г. Саратова.

В 1970 г. окончил физический класс физико-математической средней школы № 13  г. Саратова.

В 1975 г. окончил с отличием физический факультет Саратовского ордена Трудового Красного Знамени государственного университета им. Н.Г. Чернышевского (СГУ) по специальности «полупроводники и диэлектрики», а в 1978 г. – аспирантуру кафедры физики твердого тела СГУ.

С 1978 г. работает в СГУ (старший лаборант, ассистент, доцент, профессор, заведующий кафедрой).

В 1982 г. защитил диссертацию на степень кандидата технических наук.

В 1984 г. стал Лауреатом премии Саратовского Обкома ВЛКСМ и областного совета НТО им. А.С. Попова в области науки, техники и производства.

В 1993 г. был одним из основных инициаторов и создателей Лицея «Полупроводниковая электроника» на базе школы № 37 и школы № 9  г. Аткарска Саратовской области (с 1998 г.), который патронировался кафедрой физики полупроводников СГУ, успешно и плодотворно функционировал до 2014 г. С момента создания являлся заместителем научного руководителя и научным руководителем Лицея «Полупроводниковая электроника», преподавателем специального курса «Физика в примерах и задачах» для лицеистов 8 – 11 классов.

В 2000 г. успешно защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. С 2001 г. - профессор кафедры физики полупроводников СГУ.

В 2008 г. присвоено ученое звание профессора.

С 2010 г. – заведующий кафедрой физики полупроводников СГУ.

Принимал участие и выступал с докладами на многих Всесоюзных, Всероссийских и Международных научных конференциях и симпозиумах. Был исполнителем, ответственным исполнителем, заместителем научного руководителя, научным руководителем многих госбюджетных и хоздоговорных НИР, выполнявшихся по постановлениям Правительства СССР и Российской Федерации, координационным планам АН СССР и РАН, Минвуза РСФСР, Российским и Международным грантам, нескольких договоров о научно-техническом сотрудничестве с ведущими научными организациями страны, принимал активное участие в реализации инновационно-образовательной программы СГУ в 2007 – 2008 гг., был руководителем разработки основной образовательной программы (ООП) бакалавриата по направлению 210100 «Электроника и наноэлектроника» с профилем подготовки «Физика и технология твердотельных электронных микро- и наноструктур» в рамках реализации программы НИУ СГУ в 2010 – 2011 гг. В 2014 г. был руководителем разработки и одним из основных разработчиков основной образовательной программы (ООП) магистратуры по направлению 22.04.01 «Материаловедение и технологии материалов» с профилем подготовки «Функциональные и интеллектуальные материалы и структуры для электроники и биомедицины». Является научным руководителем двух магистерских программ кафедры.

Был научным руководителем трех успешно защищенных кандидатских диссертаций (Глуховской Е.Г. – 2005 г.; Разумихин К.А. – 2006 г.; Сергеев С.А. – 2010 г.). Постоянно руководит исследовательской работой аспирантов, магистрантов, соискателей и студентов.

Член Ученого совета СГУ, член Ученого совета Института физики СГУ, член докторского диссертационного совета Д 212.243.01 на базе Саратовского национального исследовательского государственного университета имени Н.Г. Чернышевского по специальности 05.27.01 «Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах», член докторского диссертационного совета Д 212.278.01 на базе ФГБОУ ВО «Ульяновский государственный университет» по специальности 01.04.10 «Физика полупроводников», член Федерального учебно-методического объединения в системе высшего образования по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 11.00.00 «Электроника, радиотехника и системы связи», руководитель научного семинара кафедры, научно-методический руководитель учебной лаборатории полупроводниковой электроники кафедры физики полупроводников.

 

За время работы в СГУ разработал и читал многие курсы и дисциплины, связанные с физикой и техникой полупроводников, твердотельной электроникой и математическим моделированием.

 

Автор более 300 научных и учебно-методических публикаций, 12 авторских свидетельств СССР и патентов РФ на изобретения.

 

Преподаваемые дисциплины: 
Физические основы твердотельной электроники (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Твердотельная электроника (11.03.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Твердотельная электроника и микроэлектроника (03.03.02 «Физика»; 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»; 12.03.04 «Биотехнические системы и технологии»; 11.06.01 «Электроника
радиотехника и системы связи»)
Физика твердотельных параметрических приборов СВЧ
Современные проблемы электроники (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Современные проблемы твердотельной электроники (03.03.02 «Физика»; 22.03.01 «Материаловедение и технологии материалов»; 12.03.04 «Биотехнические системы и технологии»; 11.06.01 «Электроника
Основы математического моделирования в твердотельной электронике (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Математические модели в естествознании и технике (11.04.04 «Электроника и наноэлектроника»)
Основы организации научно-исследовательской работы (03.03.02 «Физика»; 12.03.04 «Биотехничес
Основные научные публикации: 
  1. Electro-physical properties of GaAs nanoscopic clusters / Aleksey A. Kletsov, Alexander I. Mikhailov, Evgeny G. Glukhovskoy, Anton V. Kalmykov // Chemical Physics Impact. Volume 4, June 2022, 100069.  DOI 10.1016/j.chphi.2022.100069. - II S2667-0224(22)00008-1
  2. Физика полупроводников и твердотельная электроника: Сборник статей / А.И. Михайлов, А.Г. Роках, С.Б. Вениг и др. / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Изд-во «Амирит», 2022. – 244 с. – ISBN 978-5-00140-941-0.
  3. Михайлов А.И. Кафедре физики полупроводников 40 лет // Физика полупроводников и твердотельная электроника: Сборник статей / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Изд-во «Амирит», 2022. – С. 6-38. – ISBN 978-5-00140-941-0.
  4. Kabanov V.F., Mikhailov A.I., Gavrikov M.V. Shape Effect on the Electrical Properties of Indium-Antimonide Quantum Dots // Semiconductors. 2021. Vol. 55, Is. 3. P. 315-318. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version). DOI https://doi.org/10.1134/S1063782621030106
  5. V. F. Kabanov. A. I. Mikhailov, and M. V. Gavrikov. Thermionic Emission from Indium Antimonide Quantum Dots // Technical Physics Letters, 2021. - PP. 1-3. .DOI: 10.1134/S1063785021040209  ISSN PRINT: 1063-7850
  6. Kabanov V.F., Mikhailov A.I., Gavrikov M.V. Analysis of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots with temperature changes // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS, 2021, 12 (1), P. 113–117. DOI 10.17586/2220-8054-2021-12-1-113-117.
  7. Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В. Термоавтоэлектронная эмиссия из квантовых точек антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2021. – Т. 47, вып. 8. – С. 44-46. – ISSN 0320-0116. DOI: 10.21883/PJTF.2021.08.50854.18662.
  8. Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Гавриков М.В. Исследование электрофизических свойств квантовых точек антимонида индия: значение формы // ФТП. 2021. Т. 55, вып. 3. С. 237-240. ISSN 0015-3222. DOI: 10.21883/FTP.2021.03.50601.9471.
  9. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники: Учеб. пособие для студ. фак. нано- и биомедицинских технологий. – 2-е изд., с изм. – Саратов : Изд-во Сарат. ун-та, 2020. – 192 с. : ил. ISBN 978-5-292-04672-1 (print) ISBN 978-5-292-04673-8 (online)
  10. Gavrikov Maksim Vladimirovich, Kabanov Vladimir Fedorovich, Mikhailov Aleksandr Ivanovich. Features of the Conduction Mechanism through an Indium Antimonide Quantum Dot in the Analysis of Tunneling Current-Voltage Characteristics // Nano Hybrids and Composites. 2020. Vol. 28. P. 130-135. ISSN: 2297-3400. doi:10.4028/www.scientific.net/NHC.28.130. © 2020 Trans Tech Publications Ltd, Switzerland.
  11. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Гавриков М.В. Исследование электрофизических свойств коллоидных квантовых точек антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2020. – Т. 46, вып. 7. – С. 36-38. – ISSN 0320-0116. DOI: 10.21883/PJTF.2020.07.49218.18145.
  12. Mikhailov A.I., Kabanov V.F. Gavrikov M.V. Study of the Electrophysical Properties of Colloidal Indium Antimonide Quantum Dots // Technical Physics Letters. – 2020. - Vol. 46, No. 4. - P. 339–341. ISSN 1063-7850.  DOI: 10.1134/S1063785020040100.
  13. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Investigation of indium antimonide nanoparticles, obtained by the method of liquid chemical etching // Journal of Physics: Conference Series. 1410 (2019). P. 1-4. 012048. doi:10.1088/1742-6596/1410/1/012048.
  14. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the InSb semiconductor quantum dots parameters // NANOSYSTEMS: PHYSICS, CHEMISTRY, MATHEMATICS. 2019. 10 (6). P. 720-724. DOI 10.17586/2220-8054-2019-10-6-720-724.
  15. Жуков Н.Д., Михайлов А.И., Мосияш Д.С. О механизме и особенностях полевой эмиссии в полупроводниках // ФТП. 2019. Т. 53, вып. 3. С. 340-344. ISSN 0015-3222.
  16. Zhukov N.D., Mikhailov A.I., Mosiyash D.S. Mechanism and Features of Field Emission in Semiconductors // Semiconductors. 2019. Vol. 53, Is. 3. P. 340-344. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
  17. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Glukhovskoy E.G., Shishkin M.I., Gavrikov M.V. Methodology of analyzing the A2B6 semiconductor quantum dots parameters // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2018, 9 (4), P. 464–467; doi: 10.17586/2220-8054-2018-9-4-464-467.
  18. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Глуховской Е.Г. Исследование свойств квантовых точек полупроводников AIIBVI и AIIIBV // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 6. С. 603-607. ISSN 0015-3222.
  19. Study of the Properties of II–VI and III–V Semiconductor Quantum Dots / A.I. Mikhailov, V.F. Kabanov, I.A. Gorbachev and E.G. Glukhovsky // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 6. P. 750-754. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
  20. Жуков Н.Д., Кабанов В.Ф., Михайлов А.И., Мосияш Д.С., Хазанов А.А., Шишкин М.И. Особенности свойств полупроводников АIIIВV в мультизеренной наноструктуре // ФТП. 2018. Т. 52, вып. 1. С. 83-88. ISSN 0015-3222.
  21. Peculiarities of the Properties of III–V Semiconductors in a Multigrain Structure / N.D. Zhukov, V.F. Kabanov, A.I. Mihaylov, D.S. Mosiyash, Ya.E. Pereverzev, A.A. Hazanov and M.I. Shishkin // Semiconductors. 2018. Vol. 52, Is. 1. P. 78-83. ISSN 1063-7826 (print version). ISSN 1090-6479 (electronic version).
  22. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И.А., Казак А.В., Усольцева Н.В., Глуховской Е.Г. Особенности электронных свойств квантовых точек состава А2B6 в пленках Ленгмюра-Блоджетт // Известия Академия наук. Серия физическая, 2017, 81 (12). С. 1668-1671. ISSN 0002-3353 (печатная версия).
  23. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Kazak A.V., Usol’tseva N.V., Glukhovskoy E.G. Electronic Properties of A2B6 Quantum Dots Incorporated into Langmuir–Blodgett Films // Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 2017, Vol. 81, No. 12, pp. 1472–1475.; doi: 10.3103/S1062873817120231. ISSN 1066-5285 (печатная версия). ISSN 1573-9171 (онлайновая версия).
  24. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники и наноэлектроники. Планы семинарских занятий. – Germany. Saarbrücken: Издательский Дом: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2017. – 228 с. ISBN: 978-3-659-88082-7.
  25. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D., Glukhovskoy E.G. Features of the energy spectrum of indium antimonide quantum dots // Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 2017, 8 (5), P. 596–599. ISSN 2220-8054 (Print version). ISSN 2305-7971 (Online version). PACS 73.22.f, 73.21.La.  DOI 10.17586/2220-8054-2017-8-5-596-599.
  26. Патент на полезную модель № 161399. RU 161399 U1. МПК H01L 27/144 (2006.01); H03B 7/00 (2006.01). Микроразмерный генератор с оптическим управлением / А.И. Михайлов, И.О. Кожевников (РФ). Заявка № 2015117765. Приоритет от 13 мая 2015 г. Зарегистрировано в Государственном реестре полезных моделей Российской Федерации 31 марта 2016 г. Срок действия патента истекает 13 мая 2025 г. Опубликовано 20.04.16., Бюл. № 11.
  27. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Горбачев И А., Глуховской Е.Г. Исследование особенностей электронного спектра квантовых точек полупроводника CdSe // Письма в ЖТФ. – 2016. – Т. 42, вып. 15. – С. 51-58. – ISSN 0320-0116.
  28. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Gorbachev I.A., Glukhovskoi E.G. A study of specific features of the electronic spectrum of quantum dots in CdSe semiconductor // Technical Physics Letters, 42(8), 796-798). http://link.springer.com/article/10.1134/S1063785016080137. Technical Physics Letters August 2016, Volume 42, Issue 8,  pp 796–798
  29. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Проявление размерного квантования на выступах шероховатой поверхности полупроводников A3B5 // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 21. – С. 88-94. – ISSN 0320-0116.
  30. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Manifestation of Size Quantization on Protrusions on a Rough A3B5 Semiconductor Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 11. – P. 1065-1067. – ISSN 1063-7850.
  31. Идентификация нуклеотидов путем измерения тока через них при протягивании ДНК через нанопору / А.А. Клецов, К.И. Косолапова, А.С. Чумаков, В.А. Глухова, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской // Известия Академии наук. Серия химическая. - 2015, № 10. – С. 2325-2329. - ISSN 0002-3353.
  32. Кожевников И.О., Михайлов А.И., Браташов Д.Н. Исследование влияния топологии контактных площадок на воспроизводимость параметров колебаний тока в мезапланарных структурах на основе полуизолирующего арсенида галлия // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия Физика. – 2015. Том 15, вып. 1. – С. 51-56. – ISSN 1814-733X. - ISSN 1817-3020.
  33. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Особенности возникновения устойчивых колебаний тока большой амплитуды в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах на основе арсенида галлия // Известия вузов. Радиоэлектроника. – 2015. – Т. 58, № 4. – С. 59-64. – ISSN 1810-3189.
  34. Alexandr I. Mikhailov, Anton V. Mitin, Ilya O. Kozhevnikov. Peculiarities of stable oscillations of high amplitude current occuring in long high-impedance planar-epitaxial gallium-arsenide-based structures // Radioelectronics and communications systems. – 2015. – Vol. 58, № 4. – P. 187-190. – ISSN 1810-3189.
  35. Михайлов А.И., Кабанов В.Ф., Жуков Н.Д. Особенности автоэлектронной эмиссии из субмикронных выступов шероховатой поверхности антимонида индия // Письма в ЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 12. – С. 8-14. – ISSN 0320-0116.
  36. Mikhailov A.I., Kabanov V.F., Zhukov N.D. Peculiarities of Field Electron Emission from Submicron Protrusions on a Rough InSb Surface // Technical Physics Letters. – 2015. – Vol. 41, No. 6. – P. 568-570. – ISSN 1063-7850.
  37. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Функциональный однокристальный преобразователь свет-частота на основе высокоомного n-GaAs // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2014. - Т. 17, № 4. - С. 64-69. - ISSN 1810-3189.
  38. Михайлов А.И., Митин А.В., Кожевников И.О. Оптимизация алгоритма математической модели установления распределения заряда и электрического поля в многослойной полупроводниковой структуре с металлическими контактами // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки. Физика. – 2013, № 4 (28). – С. 133-146. - ISSN 2072-3040.
  39. Полупроводниковая электроника и молекулярные нанотехнологии: Сборник статей / А.И. Михайлов, А.Г. Роках, С.А. Сергеев и др. / Под общей редакцией проф. А.И. Михайлова. – Саратов: Издательский центр «Наука», 2013. – 304 с. - ISBN 978-5-9999-1719-5.
  40. Михайлов А.И., Митин А.В. Экспериментальное исследование спектра колебаний тока в длинных высокоомных планарно-эпитаксиальных структурах арсенида галлия в условиях засветки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 4. - С. 87-91. - ISSN 1810-3189.
  41. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Возбуждение волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью полосковым барьером Шоттки // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2011. - Т. 14, № 1. - С. 45-50. - ISSN 1810-3189.
  42. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 4. - С. 70-74. - ISSN 1810-3189.
  43. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в асимметричных тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 2. - С. 102-107. - ISSN 1810-3189.
  44. Сергеев С.А., Михайлов А.И., Сергеева Б.В. Эффективность спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // В мире научных открытий. – 2010. - № 4 (10). – Часть 6. – С. 49-52. - ISSN 2072-0831.
  45. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 2. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 73-81. - ISSN 1810-3189.
  46. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Граничная частота усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2010. - Т. 13, № 1. - С. 33-37. - ISSN 1810-3189.
  47. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP и n-GaN // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. - Вып. 16. - С. 38-39. – ISSN 0868-6238.
  48. Михайлов А.И., Глуховской Е.Г. Методика исследования сорбции паров этанола мономолекулярной пленкой Ленгмюра-Блоджетт арахиновой кислоты // Журнал физической химии. – 2008. – Т. 82, № 7. – С. 1-5. - ISSN 0044-4537.
  49. Mikhailov A.I., Glukhovskoi E.G. A Procedure for Studying the Sorption Vapor with a Monomolecular Langmuir-Blodgett Arachic Acid Film // Russian Journal of Physical Chemistry A. – 2008. – Vol. 82, № 7. – P. 1234-1238. - ISSN 0036-0244.
  50. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Результаты моделирования // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2008. - Т. 11, № 1. - С. 100-108. - ISSN 1810-3189.
  51. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Физические основы твердотельной электроники: Учебное пособие для студ. фак. нано- и биомедицинских технологий. – Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2007. – 164 с., ил. - ISBN 978-5-292-03712-5. – Усл. печ. л. 9,53 (10,25). Уч.-изд. л. 9,2.
  52. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Резонансная система коаксиально-волноводного генератора второй гармоники на диодах Ганна КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 57-64. - ISSN 1810-3189.
  53. Михайлов А.И., Митин А.В. Анализ нелинейной динамики тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs в условиях локальной засветки. Часть 1. Формулировка модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2007. - Т. 10, № 2. - С. 49-56. - ISSN 1810-3189.
  54. Молекулярная электроника и технология / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, Е.Г. Глуховской, Д.А. Горин, А.А. Невешкин, С.А. Портнов // Нанотехника. – 2007. - № 1(9). С. 20-26. – ISSN 1816-4498.
  55. Investigation of absorbtion and reflection spectra of aqueous suspensions of nanoparticles in X band of microwave bandwidth / S.A. Sergeev, S.A. Portnov, D.A. Gorin, A.I. Mikhailov, S.S. Rumyantseva, I.V. Taranov, V.V. Kislov, G.B. Sukhorukov // Saratov Fall Meeting 2006: Nanostructures and nanoparticles: fabrication, properties and application / Ed. by D.A. Zimnyakov, N.G. Khlebtsov. Proc. SPIE; Vol. 6536, P. 42-50. (Proc. SPIE 6536, 653606 (2007); doi:10.1117/12.753431)
  56. Михайлов А.И., Митин А.В. Система уравнений локально-полевой модели динамики зарядов и тока в длинных высокоомных образцах n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2006. - Вып. 13. - С. 74-78. - ISSN 0868-6238.
  57. Влияние микроволнового излучения на полимерные микрокапсулы с неорганическими наночастицами / Д.А. Горин, Д.Г. Щукин, А.И. Михайлов, К. Кёлер, С.А. Сергеев, С.А. Портнов, И.В. Таранов, В.В. Кислов, Г.Б. Сухоруков // Письма в ЖТФ. – 2006. – Т. 32, вып. 2. – С. 45-50. – ISSN 0320-0116.
  58. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Исследование динамики электронов в полупроводниковых структурах диодов Ганна на основе двухтемпературной модели // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2006. - Т. 9, № 2. - С. 74-78. - ISSN 1810-3189.
  59. Михайлов А.И., Разумихин К.А. Двухтемпературная модель междолинных переходов в n-GaAs // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2004. - Вып. 10. - С. 71-72. - ISSN 0868-6238.
  60. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор третьей гармоники колебаний // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2003. - Т. 46, № 8. - С. 64-68. – ISSN 0021-3470.
  61. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия // ЖТФ. - 2003. - Т. 73, вып. 6. - С. 103-109. – ISSN 0044-4642.
  62. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема четвертьволнового коаксиального резонатора с нагружающей емкостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 17. - ISSN 0868-6238.
  63. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Эквивалентная схема цилиндрического резонатора // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2002. - Вып. 8. - С. 21. - ISSN 0868-6238.
  64. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Оценка влияния полупроводниковой структуры диода Ганна на параметры резонансной системы генератора КВЧ-диапазона // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 54-56. – ISSN 1810-3189.
  65. Двинских В.А., Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Коаксиальный генератор второй гармоники с кольцевой полупроводниковой структурой диода Ганна // Физика волновых процессов и радиотехнические системы. - 2002. - Т. 5, № 1. - С. 33-35. – ISSN 1810-3189.
  66. Михайлов А.И. Методика разъяснения понятия “моль” и постоянной Авогадро // Преподавание дисциплин естественного цикла в вузе и школе. Преемственность и традиции: Сб. науч. ст. - Саратов: ООО “Исток - С”, 2001. - С. 37-40. – ISBN 5 – 901255 - 02 X.
  67. Двинских В.А., Михайлов А.И., Разумихин К.А. Диодный коаксиально-волноводный генератор трехмиллиметрового диапазона // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2001. - Вып. 7. - С. 21-22. – ISSN 0868-6238.
  68. Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Б.Н. Климов, А.И. Михайлов, А.Г. Роках и др. / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - 188 с. – ISBN 5-94409-005-7. – (11,75 п.л.).
  69. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе n-GaAs // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 69-82. - ISBN 5-94409-005-7.
  70. Михайлов А.И., Науменко Г.Ю., Макарова М.Ф. Лицей “Полупроводниковая электроника” // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Сборник статей / Под общ. ред. Б.Н. Климова и А.И. Михайлова. - Саратов: Изд-во Гос. УНЦ “Колледж”, 2001. - C. 168-178. - ISBN 5-94409-005-7.
  71. Свидетельство на полезную модель 16637 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин, Д.М. Лернер (РФ). - № 2000119558/20; Заявлено 31.07.2000.; Опубл. 20.01.2001.; Приоритет от 31.07.2000., Бюл. № 2.
  72. Михайлов А.И., Лернер Д.М., Разумихин К.А. Исследование влияния рабочего напряжения на пролетную частоту генератора Ганна // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2000. - Вып. 6. - С. 75-77. - ISSN 0868-6238.
  73. Михайлов А.И. Параметрические и нелинейные колебательные и волновые процессы в полупроводниковых структурах в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах: Диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: Специальности 01.04.03 - "Радиофизика" и 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков". - Защищена 09.06.2000.; Утв. 10.11.2000; Диплом ДК № 005514. - Саратов, 2000. - 364 с.: ил. - Библиогр.: С. 320-349.
  74. Михайлов А.И. Экспериментальное исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе арсенида галлия // Письма в ЖТФ. - 2000. - Т. 26, вып. 5. - С. 80-85. – ISSN 0320-0116.
  75. Михайлов А.И., Сергеев С.А., Горячев А.А. Интегрированный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 2000. - Т. 43, № 2. - С. 16-24. – ISSN 0021-3470.
  76. Барыбин А.А., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // ЖТФ. - 2000. - Т. 70, вып. 2. - С. 48-52. – ISSN 0044-4642.
  77. Михайлов А.И. О понятии "моль" и постоянной Авогадро // Физика в школе. - 1999. - № 5. - С. 69-70. – ISSN 0130-5522.
  78. Свидетельство на полезную модель 11942 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, К.А. Разумихин (РФ). - № 99112087/20; Заявлено 08.06.99.; Опубл. 16.11.99.; Приоритет от 08.06.99., Бюл. № 11.
  79. Михайлов А.И. Усовершенствованный вариант однотемпературной модели эффекта Ганна в арсениде галлия // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1999. - Т. 42, № 10. - С. 46-50. – ISSN 0021-3470.
  80. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки // ЖТФ. - 1999. - Т. 69, вып. 1. - С. 128-130. – ISSN 0044-4642.
  81. Свидетельство на полезную модель 9351 РФ, МКИ 6 H 03 D 7/00. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98117279/20; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 16.02.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 2.
  82. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Влияние концентрации электронов в пленке арсенида галлия на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах // Письма в ЖТФ. - 1999. - Т. 25, вып. 4. - С. 85-90. – ISSN 0320-0116.
  83. Барыбин А.А., Михайлов А.И., Клецов А.А. Коэффициенты связи волн пространственного заряда при их параметрическом взаимодействии в тонкопленочных структурах арсенида галлия // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 88.
  84. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Сравнительный анализ динамики зарядов в структурах диодов Ганна на n-GaAs и n-InP // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 99.
  85. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Теоретическое и экспериментальное исследование влияния напряжения питания на основную частоту колебаний генераторов Ганна в пролетном режиме // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 143.
  86. Михайлов А.И., Двинских В.А., Лернер Д.М. Связь коаксиальных резонаторов через кольцевую полупроводниковую структуру // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 2 (23). - С. 176.
  87. Фильтрация сигналов в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, А.А. Горячев, И.В. Митин // Электродинам. и техн. СВЧ и КВЧ. - 1999. - Т. 7, № 3 (24). - С. 101-102.
  88. Патент 2138116 РФ, МКИ H 03 D 7/00, 7/12, H 01 L 27/095. Преобразователь частоты СВЧ диапазона / А.И. Михайлов, С.А. Сергеев, Ю.М. Игнатьев (РФ). - № 98116381/09; Заявлено 31.08.98.; Опубл. 20.09.99.; Приоритет от 31.08.98., Бюл. № 26.
  89. Михайлов А.И., Лернер Д.М. Связь динамики домена с формой прикатодной "зарубки" диода Ганна // Письма в ЖТФ. - 1998. - Т. 24, вып. 21. - С. 16-22. – ISSN 0320-0116.
  90. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью // Вопросы прикладной физики: Межвуз. науч. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1998. - Вып. 4. - С. 75-76. – ISBN 5-292-02284-5.
  91. Свидетельство на полезную модель 5304 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Сверхвысокочастотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов (РФ). - № 96117340/20; Заявлено 26.08.96.; Опубл. 16.10.97.; Приоритет от 26.08.96 г., Бюл. № 10.
  92. Патент 2081482 РФ, МКИ H 01 P 5/107. Волноводно-копланарный переход / А.И. Михайлов, C.А. Cеpгеев (РФ). - № 94022119/09; Заявлено 16.06.94.; Опубл. 10.06.97.; Приоритет от 16.06.94., Бюл. № 16.
  93. Михайлов А.И., Сергеев С.А. Преобразование частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью // Письма в ЖТФ. - 1996. - Т. 22, вып. 24. - С. 75-78. – ISSN 0320-0116.
  94. Михайлов А.И. О транзисторах // Физика в школе. - 1996. - № 4. - С. 16. – ISSN 0130-5522.
  95. Михайлов А.И., Cеpгеев C.А. Параметричеcкое взаимодейcтвие волн проcтранcтвенного заряда в тонкопленочных полупроводниковых cтруктурах c отрицательной дифференциальной проводимоcтью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1995. - Т. 38, № 10. - С. 43-51. – ISSN 0021-3470.
  96. Михайлов А.И. Влияние частотной дисперсии отрицательной дифференциальной подвижности электронов на усиление волн пространственного заряда в тонкопленочных структурах арсенида галлия и фосфида индия // Письма в ЖТФ. - 1995. - Т. 21, вып. 21. - С. 89-95. – ISSN 0320-0116.
  97. Патент 2019902 РФ, МКИ H 03 B 7/14. Cвеpхвыcокочаcтотный диод / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов, С.Г. Калинин (РФ). - № 4948294/21; Заявлено 26.06.91.; Опубл. 15.09.94.; Приоритет от 26.06.91., Бюл. № 17.
  98. Михайлов А.И., Панфилов В.Б. Влияние пpофиля легиpования активной облаcти диода Ганна на фоpму тока и амплитуды его гаpмоничеcких cоcтавляющих // Изв. ВУЗов. Радиоэлектpоника. - 1992. - Т. 35, № 1. - С. 76-80. – ISSN 0021-3470.
  99. Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. Параметрическое усиление волн пространственного заряда в полупроводнике с отрицательной дифференциальной проводимостью // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1990. - Т. 33, № 10. - С. 76-78. – ISSN 0021-3470.
  100. Авторское свидетельство 1498360 СССР, МКИ H 03 B 7/14, 9/12. Генератор второй гармоники / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, Б.Н. Климов (СССР). - № 1319232; Заявлено 03.07.87.; Приоритет от 03.07. 87.
  101. Михайлов А.И. Твердотельные параметрические приборы сверхвысоких частот: Учебн. пособие. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1989. - 155 с. (Усл. печ. л. 9,75). – ISBN 5-292-00262-3.
  102. Параметрические колебания в генераторах Ганна / В.А. Двинских, В.А. Иванченко, Ю.М. Игнатьев, А.И. Михайлов // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Физические свойства полупроводников и структур на их основе: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1988. - Вып. 13. - С. 47-52. – ISBN 5-292-00048-5.
  103. Авторское свидетельство 1319232  СССР, МКИ H 03 B 7/14. Генератор второй гармоники / В.А. Двинских, А.И. Михайлов, В.А. Иванченко, С.Г. Калинин (СССР). - № 3881843/24-09; Заявлено 08.04.85.; Опубл. 23.06.87.; Приоритет от 08.04. 85., Бюл. № 23.
  104. Авторское свидетельство 1154730 СССР, МКИ H 03 F 3/10. Способ усиления мощности СВЧ колебаний / В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов (СССР). - №  3491447/24-09; Заявлено 14.09.82.; Опубл. 07.05.85.; Приоритет от 14.09.82., Бюл. № 17.
  105. Модуляция диэлектрической проницаемости полупроводника сильным СВЧ-полем / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Изв. ВУЗов. Радиоэлектроника. - 1982. - Т. 25, № 10. - С. 95-97. – ISSN 0021-3470.
  106. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление комбинационных частот в арсениде галлия при взаимодействии слабой волны с волной накачки // Физика полупроводников и полупроводниковая электроника: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1981. - Вып. 9. - С. 75-80.
  107. Михайлов А.И. Динамические параметры варакторных диодов с барьером Шоттки с малым значением высоты потенциального барьера // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 6 (330). - С. 28-30.
  108. Параметрическое усиление СВЧ-колебаний в стабилизированном сверхкритическом диоде Ганна / А.А. Бушков, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. - 1981. - Вып. 7 (331). - С. 49-50.
  109. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие СВЧ колебаний в диоде Ганна // ФТП. - 1980. - Т. 14, вып. 6. - С. 1238-1240.
  110. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Параметрическое взаимодействие высокочастотных волн в n-GaAs // ФТП. - 1979. - Т. 13, вып. 6. - С. 1172-1174.
  111. Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. Усиление высокочастотных волн в полупроводниках с ОДП // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 3. - С. 601-603.
  112. Климов Б.Н., Иванченко В.А., Михайлов А.И. Частотная зависимость эффективной температуры в n-InSb, n-GaAs и p-Ge // ФТП. - 1978. - Т. 12, вып. 1. - С. 204-206.
  113. К вопросу о проектировании двухкаскадного полупроводникового параметрического усилителя миллиметрового диапазона на диодах с барьером Шоттки / Ю.Д. Биленко, В.А. Иванченко, Б.Н. Климов, А.И. Михайлов // Физические основы радиоэлектроники и полупроводников: Межвуз. научн. сб. - Саратов: Изд-во СГПИ, 1977. - Вып. 2. - С. 54-60.
Повышение квалификации: 
«Современные образовательные технологии в профессиональном образовании», Институт дополнительного профессионального образования федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2022 г.
«Противодействие коррупции», ИДПО ФГБОУ ВО «Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2019 г.
«Использование электронной информационно-образовательной среды и информационно-коммуникационных технологий в образовательном процессе СГУ», ИДПО ФГБОУ ВПО «Саратовский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского», 2016 г.
«Методы и технологии управления вузом в условиях модернизации высшего профессионального образования», ФГОУ «Академия дополнительного профессионального образования «Учебный центр подготовки руководителей», 2011 г.
Ответственный за наполнение страницы Фролов Александр Павлович
Email: tanto_85@mail.ru